Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света

• Автор: Образцов, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Калуга
• Количество страниц: 121 с. : ил.

1.1. Приборы на основе элементарных полупроводников

и соединений А3В5

1.2. Приборы на основе гетероструктур АЮаАэ

полученных жидкофазной эпитаксией

1.3. Приборы на основе гетероструктур ГпОэАбР

1.4. Приборы на основе гетероструктур АЮаАз

полученных молекулярнолучевой эпитаксией

Глава 2. Конструкция и основные физические принципы работы гетероструктуры

Глава 3. Технология получения гетсроструктуры

3.1. Технологическое оборудование и исходные материалы

3.2. Влияние условий кристаллизации

3.2.1. Фазовые равновесия
3.2.2. Гидродинамические условия
3.2.3. Диффузия в жидкой фазе
3.3. Температурновременной режим и исходное количество компонентов для эпитаксиального процесса
Глава 4. Исследование электрооптических параметров гетероструктуры
Выводы
Литература


Впервые предложены многослойные тиристорные гетероструктуры с положительной оптической обратной связью на основе твердых
В работе 8 исследовался прибор для преобразования дальнего ИКизлучения с длиной волны . Принцип действия прибора основан на фотоионизации носителей заряда на мелких уровнях 0 мэВ, образованных нейтральной примесью в светоизлучающем диоде. Максимальная квантовая эффективность преобразования длины волны излучения наблюдалась при температурах ниже К и достигала величины 3. В работе 9 методом жидкофазной эпитаксии ЖФЭ была получена рпрп многослойная ОаАБструктура и исследованы ее основные параметры. Структура обладала тиристорной ВАХ и имела следующие основные параметры. Напряжение темнового включения в интервале В, ток утечки при этом напряжении до 0 мА. Минимальный ток удержания порядка 0 мкА, напряжение в точке удержания в интервале 11 В. Длина волны в максимуме спектра излучения структуры 0 нм ваАв легированный кремнием, внешний квантовый выход излучения структуры 2. Время переключения структуры в открытое состояние уменьшалось с увеличением напряжения в закрытом состоянии и достигало 0 нсек. Также было исследована температурная зависимость параметров структуры в интервале температур 0 К. Приборы на основе гетероструктур А1СаА8 полученных ЖФЭ. Цикл работ Ю посвящен разработке преобразователя ИКизлучения на основе электро. ГС для гетерофототиристора были получены методом ЖФЭ в системе твердых растворов АЮаАв. На рис. ГС, а также процессы генерации, переноса и рекомбинации носителей, реально разделенные во времени. В зависимости от типа ГС выращивание проводилось на ваАБ подложках п или ртипа проводимости. Рис. Зонная энергетическая диаграмма ГС из работы .