Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ

• Автор: Сысоев, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 110 с. : ил

1.1 Требования к полупроводниковым материалам и подложкам

1.2 Представление о строении нарушенного слоя монокристаллов после механической обработки.

1.3 Методы исследования нарушенных слоев монокристаллов.

1.3 Л Исследование методом химического травления.

1.3.2 Оптические методы исследования.

1.3.3 Дифракционные методы исследования

1.3.4 Электронная микроскопия

г.

1.4 Механическая обработка каракгШйя

1.5 Химикомеханическая обработка карбида кремния.

1.6 Травление карбида кремния.

1.7 Ионноплазменное травление карбида кремния
1.8 Электрохимическая обработка карбида кремния.
ГЛАВА 2 МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА I
2.1 Способы механической обработки монокристаллов.
2.2 Скорость механической шлифовки монокристаллов карбида кремния .
2.3 Исследование поверхности обработанных пластин.
2.4 Двумерная модель шлифовки.
2.5 Экспериментальная проверка модели.
2.6 Выводы по второй главе
ГЛАВА 3 ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ I.
3.1 Механизм электрохимического травления карбида кремния.
3.2 Конструкция экспериментальной установки для электрохимического травления карбида кремния.
3.3 Влияния условий электрохимического травления карбида кремния на толщину получаемых пористых слоев.
3.4 Разработка методики удаления слоев пористого i
3.5 Выводы по третьей главе.
ГЛАВА 4 ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК НА КАЧЕСТВО ВЫРАЩИВАЕМЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ I
4.1 Выращивание объемных монокристаллов i.
4.2 Высокотемпературная установка для выращивания объемных монокристаллов i
4.3 Методика проведения экспериментов.
4.4 Влияние метода обработки поверхности подложки на качество выращиваемых монокристаллов i.
4.5 Выводы по четвертой главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Представления о строении нарушенного слоя монокристаллов после механической обработки менялись с изменением знании о механизме разрушения полупроводниковых материалов. Для первых исследований характерны две схемы строения нарушенных слоев с послойным изменением структуры 1 и хрупкого разрушения 2. Сторонники первой схемы исходили не из физики процесса разрушения, а из результатов электрофизических и электронографических исследований структуры больших объемов монокристаллических и поликристаллических материалов. Нарушенный слой представлялся состоящим из поликристаллического, мозаичного слоя и слоя с растеканием Кикучилиний Рис. Эти слои были названы так по аналогии электронограмм, полученных с каждого слоя, с электронограммами от поликристаллов, мозаичных структур и монокристаллов. Схема хрупкого разрушения по аналогии с абразивным разрушением стекол предполагала наличие определенного по профилю микрорельефа и расположенного под ним слоя, пронизанного сетью трещин Рис. Обе схемы не отражают истинный характер разрушения хрупких монокристаллов изза низкотемпературной пластической деформации, локализованной в приповерхностных слоях материалов 3. В работе 4 была дана схема строения нарушенного слоя, учитывающая возможность пластической деформации при абразивном воздействии Рис. Согласно схеме под трещинами и между ними располагаются дислокационные сетки, наличие которых доказано электронномикроскопическими исследованиями. Разновидностью этой схемы является схема, предложенная для монокристаллического кварца в 5 Рис.