Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Автор:
Косарев, Артем Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и дилатометрическое исследование халькогенидных полупроводниковых стеклообразных материалов AsxS1-x, AsxSe1-x, GexSe1-x в широком интервале температур | Воронова, Анна Евгеньевна | 2006 |
| Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции | Данилкин, Евгений Викторович | 2008 |
| Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния | Арапкина, Лариса Викторовна | 2004 |