Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Автор:
Косарев, Артем Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии | Николаевский, Анатолий Владимирович | 2012 |
| Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co | Зорин, Андрей Владимирович | 2003 |
| Технология получения и электрофизические свойства тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройств фазовой памяти | Лазаренко, Петр Иванович | 2014 |