Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Автор:
Косарев, Артем Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели», автор — Косарев, Артем Михайлович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2004 году. Объем работы: 131 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002627355. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка методов управляемого формирования и исследование тонкопленочных опаловых наноструктур | Беседина, Ксения Николаевна | 2014 |
| Разработка способов повышения эффективности пьезокерамических материалов для устройств электронной техники | Мараховский, Михаил Алексеевич | 2014 |
| Исследование и разработка процессов формирования наноструктурированных барьерных слоёв на основе фторуглеродных пленок | Сильницкая, Ольга Андреевна | 2018 |