Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
- Автор:
Русаков, Демьян Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
184 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии | Сергеева, Ж. М. | 1994 |
| Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит" | Бузынин, Александр Николаевич | 2008 |
| Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники | Клунникова, Юлия Владимировна | 2019 |