Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
- Автор:
Русаков, Демьян Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
184 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si», автор — Русаков, Демьян Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2003 году. Объем работы: 184 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002615182. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства | Науменко, Наталья Васильевна | 2001 |
| Разработка методов проектирования миниатюрных низковакуумных насосов для оборудования электронной техники | Ветров, Владимир Алексеевич | 2008 |
| Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi | Подщипков, Дмитрий Геннадиевич | 2009 |