Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Андреев, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
124 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров | Авдиенко, Александр Андреевич | 2004 |
| Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники | Клунникова, Юлия Владимировна | 2019 |
| Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния | Ковалгин, Алексей Юрьевич | 1995 |