Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Андреев, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
124 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии», автор — Андреев, Андрей Юрьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2004 году. Объем работы: 124 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002740538. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-механические свойства кремниевых наноструктур как технологического материала микросистемной техники | Залкинд, Яков Григорьевич | 2006 |
| Получение и свойства кристаллов LiNa₅Mo₉O₃₀ | Сухарев, Виктор Александрович | 2019 |
| Разработка технологических решений создания объёмно-чувствительных и высокоанизотропных пьезокомпозитов на основе (Pb, Zr)TiO3 и PbTiO3 | Филиппов, Сергей Евгеньевич | 2015 |