Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии
- Автор:
Андреев, Андрей Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
124 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и разработка технологического процесса лазерной полировки стекломатериалов в приборостроении и электронной технике | Большепаев, Олег Юрьевич | 1999 |
| Разработка материалов и процессов для формирования системы металлизации СБИС субмикронного уровня | Климовицкий, Анатолий Григорьевич | 2004 |
| Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки | Мустафаев, Арслан Гасанович | 2011 |