Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Автор:
Талимов, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
109 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Выращивание монокристаллов с использованием погруженного ОТФ нагревателя в строго контролируемых тепловых условиях | Гоник, Михаил Александрович | 2020 |
| Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца | Панкрашкин, Алексей Владимирович | 2002 |
| Низкочастотная вибрационная активация расплавов в процессе выращивания кристаллов химических соединений методами направленной кристаллизации | Суханова, Екатерина Андреевна | 2014 |