Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Автор:
Талимов, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
109 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb», автор — Талимов, Алексей Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2001 году. Объем работы: 109 с.. Внутренний код товара: 01002287177. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение, структурные и электрофизические исследования новых сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем (1-x)Ba(Ti1-yZry)O3.xPbTiO3, (Pb1-xBax)5Ge3O11, Pb3Mn7O15 | Степанов, Александр Викторович | 2018 |
| Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода | Федорова, Светлана Станиславовна | 2005 |
| Искусственно и естественно упорядоченные микро- и наноразмерные капиллярные мембраны на основе анодного оксида алюминия | Муратова, Екатерина Николаевна | 2014 |