Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Автор:
Талимов, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
109 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокочистые координационные соединения 8-оксихинолина с металлами S- и P-элементов для органических светоизлучающих диодных структур | Аккузина, Алина Александровна | 2018 |
| Получение композиционных материалов с использованием фотохромных и светоизлучающих соединений и применение многослойных структур на их основе в устройствах хранения и обработки информации | Гребенников, Евгений Петрович | 2010 |
| Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров | Авдиенко, Александр Андреевич | 2004 |