Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
- Автор:
Талимов, Алексей Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
109 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез и исследование фаз с различной степенью разупорядочения в системе Bi-Ge-O | Степанова, Ирина Владимировна | 2019 |
| Химико-механическое полирование монокристаллов ZnO, NiSb, Cu и цилиндрических подложек Si | Фарафонов, Сергей Борисович | 2011 |
| Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере | Сорокин, Святослав Игоревич | 1998 |