Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi
- Автор:
Подщипков, Дмитрий Геннадиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Волгодонск
- Количество страниц:
162 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi», автор — Подщипков, Дмитрий Геннадиевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Волгодонск в 2009 году. Объем работы: 162 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004361629. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка основ технологии новых металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродного нанокристаллического материала под действием ИК нагрева полимеров | Козлов, Владимир Валентинович | 2009 |
| Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства | Вотинцева, Елена Евгеньевна | 2000 |
| Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения | Письменский, Максим Васильевич | 2006 |