Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Автор:
Драка, Оксана Евгеньевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
154 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние импульсного светового воздействия на физические свойства приповерхностных слоев полупроводников | Железный, Сергей Владимирович | 1999 |
| Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методом каталитического пиролиза этанола | Симунин, Михаил Максимович | 2009 |
| Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры | Ермолаева, Наталия Вячеславовна | 2001 |