Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Автор:
Драка, Оксана Евгеньевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
154 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники | Мармалюк, Александр Анатольевич | 2006 |
| Химико-механическое полирование монокристаллов ZnO, NiSb, Cu и цилиндрических подложек Si | Фарафонов, Сергей Борисович | 2011 |
| Технология тонкопленочных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния | Семенов, Александр Вячеславович | 2015 |