Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства
- Автор:
Драка, Оксана Евгеньевна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
154 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства», автор — Драка, Оксана Евгеньевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Новочеркасск в 2003 году. Объем работы: 154 с. : ил. Внутренний код товара: 01002610164. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка, исследование и моделирование процессов изготовления интегрально-оптических элементов в кристаллах ниобата лития | Апраксин, Дмитрий Васильевич | 2003 |
| Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства | Вотинцева, Елена Евгеньевна | 2000 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si | Русаков, Демьян Николаевич | 2003 |