Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Автор:
Патаридзе, Зураб Гивиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
163 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником», автор — Патаридзе, Зураб Гивиевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Новочеркасск в 2003 году. Объем работы: 163 с. : ил. Внутренний код товара: 01002609398. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронной эмиссии для контроля процесса реактивного ионно-лучевого травления пленочных гетерокомпозиций | Курочка, Александр Сергеевич | 2013 |
| Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства | Шермагина, Елена Юрьевна | 2003 |
| Физические основы и принципы бесконтактного измерения параметров полупроводниковых материалов | Сидорин, Виктор Викторович | 1997 |