Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Автор:
Патаридзе, Зураб Гивиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
163 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технология осаждения пленок оксида вольфрама методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе | Морозова, Александра Александровна | 2015 |
| Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике | Белянин, Алексей Федорович | 2002 |
| Нестехиометрические фазы на основе селенида цинка для разработки лазерных и детекторных материалов | Зыкова, Марина Павловна | 2018 |