Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Автор:
Патаридзе, Зураб Гивиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
163 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником», автор — Патаридзе, Зураб Гивиевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Новочеркасск в 2003 году. Объем работы: 163 с. : ил. Внутренний код товара: 01002609398. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов | Мазуров, Александр Вячеславович | 2004 |
| Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития | Алкаев, Александр Николаевич | 2004 |
| Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры | Ермолаева, Наталия Вячеславовна | 2001 |