Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Автор:
Патаридзе, Зураб Гивиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
163 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит" | Бузынин, Александр Николаевич | 2008 |
| Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами | Кутевой, Сергей Александрович | 1998 |
| Разработка оборудования для экспресс-анализа концентраций примесей в полупроводниковых материалах методом статической фурье-спектроскопии | Белаш, Александр Олегович | 2012 |