Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником
- Автор:
Патаридзе, Зураб Гивиевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
163 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Выращивание квазиоднородных слоев AlxGa1-xAs жидкофазной эпитаксией с подпиткой кристаллическим источником», автор — Патаридзе, Зураб Гивиевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Новочеркасск в 2003 году. Объем работы: 163 с. : ил. Внутренний код товара: 01002609398. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Выращивание и исследование кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr4+, для твердотельных лазеров | Субботин, Кирилл Анатольевич | 2006 |
| Технологические основы разработки композиционных эмиттеров вторичных электронов для вакуумных изделий электронной техники | Жданов, Сергей Михайлович | 2001 |
| Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития | Масленников, Евгений Ильич | 2004 |