Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
- Автор:
Ладугин, Максим Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ», автор — Ладугин, Максим Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.03. Работа подготовлена в городе Москва в 2009 году. Объем работы: 170 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004591374. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Лазерная дезактивация металлических поверхностей | Мутин, Тимофей Юрьевич | 2012 |
| Полупроводниковый оптический усилитель на длину волны 1550 нм и кольцевой лазер на его основе | Медведев, Сергей Витальевич | 2013 |
| Мобильный лидар на основе перестраиваемого титан-сапфирового лазера для дистанционного мониторинга загрязнений атмосферы в условиях чрезвычайных ситуаций | Орлов, Дмитрий Анатольевич | 2001 |