Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
- Автор:
Ладугин, Максим Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Улучшение параметров излучательной рекомбинации инжекционных лазеров на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности : В системах А3В5 и А2В6 | Копчатов, Владимир Ильич | 2000 |
| Исследование влияния структурного несовершенства кристаллов ванадатов редкоземельных элементов на их генерационные характеристики в лазерах с полупроводниковой накачкой | Орлова, Галина Юрьевна | 2013 |
| Лазерные пучки с осесимметричным состоянием поляризации | Нестеров, Александр Владимирович | 2000 |