Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
- Автор:
Ладугин, Максим Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ», автор — Ладугин, Максим Анатольевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.03. Работа подготовлена в городе Москва в 2009 году. Объем работы: 170 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004591374. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Импульсное лазерное напыление тонких пленок и наноразмерных структур для активных сред лазеров | Новодворский, Олег Алексеевич | 2012 |
| Формирование и наведение лазерных пучков с помощью внутрирезонаторных пространственно-временных модуляторов света | Алексеев, Владимир Николаевич | 2009 |
| Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления | Лотин, Андрей Анатольевич | 2011 |