Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
- Автор:
Ладугин, Максим Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и разработка методов и средств лазерного трехмерного лазерного синтеза из термоплатичных и термореактивных материалов | Яковлев, Артем Геннадьевич | 2000 |
| Управление параметрами излучения импульсивных твердотельных ВКР-лазеров на основе полифункциональных нелинейных сред | Гагарский, Сергей Валерьевич | 1998 |
| Компактные лазеры на Yb:Er:стекле с диодной накачкой и активной модуляцией добротности для дальнометрии | Крылов, Александр Александрович | 2018 |