Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ
- Автор:
Ладугин, Максим Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.03
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
170 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование сверхкоротких импульсов в твердотельных лазерах с инерционным насыщающимся поглотителем и применение фемтосекундного излучения для объемной модификации полимеров | Корытин, Алексей Иванович | 2000 |
| Лазерная дезактивация металлических поверхностей | Мутин, Тимофей Юрьевич | 2012 |
| Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления | Лотин, Андрей Анатольевич | 2011 |