Улучшение параметров излучательной рекомбинации инжекционных лазеров на основе гетероструктур с активной областью квазинулевой размерности : В системах А3В5 и А2В6

• Автор: Копчатов, Владимир Ильич
• Шифр специальности: 05.27.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 159 с.

1.1. Параметры излучательной рекомбинации, характеризующие работу полупроводникового инжекционного лазерного диода.

1.2. Преимущества лазеров на основе активной

области квазинулевой размерности

1.3. Молекулярнопучковая эпитаксия для роста квантоворазмерных гетероструктур и

способы создания квантоворазмерных систем

Глава 2. Особенности технологии формирования лазерных

гетероструктур пониженной размерности

2.1. Лазерные структуры с массивами квантоворазмерных 1п,СаА8 островков в матрице А1,ОаА8, выращенные

на подложках ваАв и 1пР

2.2. А2В6 наноструктуры со сверхтонкими дробномонослойными вставками СбЭе в гпЭе матрице.

Глава 3. Люминесцентные характеристики инжекционных

лазерных гетероструктур
3.1. Особенности подготовки образцов и проведения экспериментов.
3.2. Пороговые и дифференциальные характеристики 1п,Оа,АА8 инжекционных лазеров.
3.3. Синезеленые лазеры на основе халькогенидов
бериллия с дробномонослойной активной областью.
Глава 4. Температурные зависимости параметров излучательной рекомбинации
низкоразмерных лазерных АЗВ5 структур
4.1. Температурная зависимость пороговой плотности тока п,0а,АА5 лазеров на основе гетероструктур,
выращенных на ОэАб подложке.
4.2. Эффективность вынужденной и спонтанной излучательной рекомбинации
4.3. Лазеры на основе гетероструктур с квантоворазмерными островками в системе пАвпОаАзпР
Заключение.
Литература


Как ожидается, модификация энергетического спектра, обусловленная размерным квантованием энергии в трехмерных наноостровках приведет к появлению новых оптических свойств, включая более узкие спектры поглощения и усиления. Е Ви рЕер,ЕЕгсЕЕЕ1Е1 1. В постоянная, отражающая вероятность перехода, рсЕ, рУЕ и ЪЕ, ЦЕ плотности состояний и функции распределения электронов и дырок, соответственно, Ед ширина запрещенной зоны. Так из выражения 1. Для квантовой точки ширина спектральной линии будет определяться, фактически временем жизни, носителей в точке, например, временем излучательной рекомбинации основного носителя. Вычисления, выполненные в для случая системы материалов 1пСаАэ1пР показывают, что значение усиления в максимуме, составляющее около 0 см1 для объемного 1пОаАэ увеличивается до , и более см1 при понижении размерности активной области до 2, 1 и 0мерного случая, соответственно. Кроме того, более резкие спектры поглощения могут быть использованы в оптических модуляторах, переключателях и быстродействующих фотодетекторах , т. Основной причиной деградации порога с увеличением температуры в лазерах на основе КЯ является термическое размазывание носителей по континууму плотности состояний, снижающее тем самым максимальное усиление при том же уровне инжекции. В лазерах на основе идеального массива КТ подобное размазывание должно полностью исчезнуть, вследствие дельтаобразной плотности состояний, считая вышележащие состояния достаточно удаленными от основного состояния КТ. Н оехРТ Т0
1.