Эффекты взаимодействия между электронными системами в туннельных полупроводниковых структурах

• Автор: Попов, Владимир Геннадьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 100 с.

1.1. Обмен электронов между электронными системами в туннельных структурах

1.2. Резонансное туннелирование между двумерными электронными системами. Многочастичные эффекты.

1.3. Эквивалентные модели резонанснотуннельного диода.

Плазменные эффекты.

ГЛАВА П. Образцы и методы исследований.

II. 1. Структуры с двумерными электронными слоями, разделенными туннельным барьером, с вертикальным транспортом электронов
.2. Меюды определения основных параметров двумерных слоев в вертикальных туннельных структурах

.3. Двухбарьерные резоннс1Дель7ьструктры

.4. Методика исследования токйбгхнеустойчивостей в области отрицательной дифференциальной проводимости резонанснотуннельного диода. Пороговая проводимость

Г ЛАВА III. Обмен электронов между электронными системами.

III. 1. Пиннинг уровней Ландау на уровнях Ферми контактных

электронных систем.
Г ЛАВ IV. Многочастичные эффекты при туннелировании электронов в
сильном магнитном поле.
IV. I. Подавление равновесного туннельного тока в сильном
магнитном поле в ультракваш овом пределе.
IV.2. Особенности процессов неупругого туннелирования электронов между двумерными электронными системами.
Г Л АВ А V. Токовые неустойчивости в области отрицательной
дифференциальной проводимости РТД
V.I. Колебания тока в цепи с резонанснотуннельным диодом. Зависимость пороговой проводимости от внешних параметров
измерительной цепи.
V.2. Токовые срывы. Влияние большого нагрузочного сопротивления
на величину тока в резонансном пике
V.3. Пороговая проводимость и колебания тока в цепи в магнитном
поле параллельном плоскости интерфейса.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


ДЭС при В 0 Т, Л энергия Ферми ДЭС, У и АВ параметры характеризующие глубину и ширину щели. При этом усреднение проводилось по энергии электронов в ДЭС от 0 до с целью, исключить температурную зависимость модуляции двумерной плотности состояний уровнями Ландау. В следующей своей работе 8 . ДЭС низкой концентрации. В этой работе авторы показали, что уменьшение концентрации ДЭС до п 0й см2 приводт к возникновению температурной зависимости туннельной проводимости в нулевом магнитном поле. Температурные зависимости были аналогичны полученным зависимостям усредненной проводимости образцов с высокой концентрацией в магнитном поле. Это позволило авторам утверждать об одинаковом происхождении щели при малой концентрации и июли, индуцированной магнитным полем. Оказалось, что при больших концентрациях щель АВ практически не менялась, а при п ПО см2 возникала сильная концентрационная зависимость. Авторы рассмотрели ряд теоретических работ, но подобное поведение щели ранее не было описано. В своих работах . ДЭС щель должна проявиться в виде нулевой особенности типа провала тока. Действительно при исследовании структур с туннелированием электронов между ДЭС было обнаружено подавление . В данных структурах авторам удалось создать независимые омические контакты к каждому из двумерных слоев, благодаря специфической геометрии образцов см. Рис. В такой геометрии нельзя исключить транспорт электронов вдоль ДЭС, что затрудняло интерпретацию данных в режиме целочисленного и дробного квантового эффекта Холла КЭХ. Группа сотрудников из Белловской лаборатории . Р. ii и др.