Исследование процессов 3D-структурирования в электронной литографии

• Автор: Князев, Максим Александрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 120 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.

Глава 1. Элекфонные резисты и их применение лтя структурирования

1.1. Электронные резисгы

1.2. Проявление электронных резистов

1.3.Темпсратурный эффект и эффект близости

1.4. ЗОструктурированис

Глава 2. Технология изготовления образцов и методика эксперимента

2.1. Материалы и установки

2.2. Методика измерений.

1 лава 3. Новый метод определения контрастности электронных резистов

3.1. Описание метода
3.2 Влияние параметров проявления на контрастность электронного резиста
3.3 Реальная и эффективная контрастности электронных резистов
3.4 Исследование способов уменьшения шероховатости электронных резистов на примере ММА 0К.
Глава 4. Исследование зависимости поглощенной дозы от
способа экспонирования и плотности тока максэффект.
4.1 Описание максэффекта.
4.2 Математическая модель максэффекта.
4.3 Экспериментальное определение параметров максэффекта
Глава 5. Новый послойный метол ЗЭструктурирования и создание оптически активных структур
5.1 Описание метода
5.2 Примеры структур.
5.3 Фотонные структуры на основе резиста с центрами люминесценции
Заключение.
Список литературы


Такая большая величина времени релаксации позволяет объяснить, почему влияние нагрева резиста при экспонировании на промышленных литографах практически отсутствует. Разработанный новый оптический метод, в основе которого лежит специальная тестовая структура, может быть использован для быстрого и точного определения эффективной контрастности резистов в лабораторных и промышленных условиях, а также для исследования зависимости контрастности от разных параметров проявления и экспонирования резистов. Учитывая при проектировании трехмерных структур влияние последовательности экспонирования и плотности тока на результат литографии, можно повысить качество ЗЭ-структурирования. Разработан новый метод ЗП-структурироваиия на основе электронной литографии, который может быть использован для создания трехмерных структур толщиной на порядок большей, чем толщина слоя электронного резиста. Новый оптический метод определения контрастности электронных резистов с помощью специальной тестовой структуры, являющийся быстрым и точным инструментом для изучения зависимости контрастности резиста от параметров проявления Результаты исследования зависимости контрас тности резиста от температуры проявителя. Обнаруженная зависимость скорости проявления резиста от последовательности экспонирования и плотности тока при одинаковой дозе экспонирования (макс-эффект). Феноменологическая модель макс-эффскта, позволяющая оценить его максимальное влияние на скорость проявления резиста. Новый метод >струк1>рировання, позволяющий создание трехмерных структур толщиной на порядок большей, чем толщина слоя электронного резиста. Результаты исследования спектров фотонных структур созданных в пленках резиста с красителем родамин 6G, свидетельствующие об увеличении в несколько раз интенсивности фотолюминесценции на структурах по сравнению с исходной пленкой. European Conference on Modelling and Simulation (Riga, Latvia, r). S. Zaitsev, М. Knyazev, S. Dubonos. Fabrication of 3D photonics structures”. The Int Conference “Micro- and Nano-Electronics”// Zvenigorod, Russia, p. P2- (). S. Zaitsev, M. Knyazev, S. Dubonos, A Bazhenov. Fabrication of 3D photonic structures”// Int. Micro- and Nano-Engineering, Cambridge, UK, p. S. Zaitsev, M. Knyazev, S. Dubonos, A. Bazhenov. Fabrication of 3D photonic structures”//Microelectronic Engineering, vol. S. Zaitsev, M. Knyazev, S. Dubonos, A. Bazhenov and Svintsov. Method for fabrication of 3D photonic structures”// Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, p. А Н. Грузинцев, B. T. Волков, С. В. Дубонос, М. А. Князев, Е. Е. Якимов. Люминесцентные свойства ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы”// Физика и техника полупроводников, том вып. M. Chukalina, S. Zaitsev, M. Knyazev, C. J. Vanegas, D. Nikolaev, Л. Simionovici. Apparatus and computer X-ray tomography: visualization of intrinsic structure, evaluation of performance and limitations"// European Conference on Modelling and Simulation, Riga, Latvia, p. S.V. Dubonos, M. A.Knyazcv, A. A.Svintsov , S. I.Zaitsev. Current density and exposure sequence effect in electron lithography“// The Int. Conference “Micro-and Nano-Electronics”, Zvenigorod, Russia, p. PI- (). S.V. Dubonos, M. A.Knyazev, A. A.Svintsov , S I. Zaitsev. Current density and exposure sequence effect in electron lithography“// Proc. SP1E, Vol. Л.Н. Грузинцсв, В Т Волков, М Л. Князев, Е. Е. Якимов. Взаимодействие когерентных оптических связанных мод в близко расположенных трехмерных ZnO микрорезонатарах”// Физика и техника полупроводников, том вып. O.M. A.Knyazcv, A. A.Svintsov , S. Zaitsev, S. V.Dubonos. Fast electron resist contrast definition by "fitting before measurement" approach"// Int. Micro- and Nano-Engineering, Barcelona, Spain, p 3-4 (). M.A. Knyazev, A. A.Svintsov , S. I.Zaitsev, S. V.Dubonos. Fast electron resist contrast determination by "fitting before measurement" approach”// Microelectronic Engineering, vol. Issues 5-8, p. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация изложена на 0 страницах, включает рисунков и 5 таблиц. Список литературы содержит 1 источник.