Формирование электронных нанообъектов на основе модифицированных углеродных структур

• Автор: Кузькин, Владимир Иванович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 160 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ4
1. ОБЗОРНОАНАЛИТИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУРАХ.
1.1. Основная задача и состояние работ в области формирования электронных нанообъектов на основе модифицированных структур

1.2. Физические аспекты формирования

наноструктур

1.3. Технологические особенности получения тонких алмазоподобных пленок

1.4. Формирование электронных нанообъектов фрактального

Постановка задачи исследований.

2. ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР ,

2.1. Термодинамика образования зародышей наноструктур.

2.2. Термодинамика поверхностных наноструктур
2.3. Корпускулярноволновые аспекты полевого взаимодействия в кристаллах.
2.4. Способы получения атомарно чистой поверхности и оценка скорости адсорбции
2.5. Распределение наночастиц по возможным энергетическим состояниям
статистика МаксвеллаБольцмана и распределение ФермиДирака
Выводы по главе 2
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР.
3.1. Экспериментальное оборудование и методика формирования нанообъектов.
3.2. Результаты экспериментальных исследований.
3.3. Сравнительный анализ полученных результатов
Выводы по главе 3.
4. РАЗРАБОТКА ПЕРСПЕКТИВНЫХ СПОСОБОВ И УСТРОЙСТВ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ НАНООБЪЕКТОВ НА ОСНОВЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР.
4.1. Технологическое устройство для наноперемещения изделий.
4.2. Устройство для регистрации отклонения острия зонда.
4.3. Устройство перемещения для нанотехнологий
4.4. Устройство для получения наноструктур на подложке
Выводы по главе 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Для четырех зеркал NA = 0, для шести NA = 0,. Требования к зеркалам очень жесткие (равномерность), причем многие из них должны быть асферичными в диапазоне 0,1 - 0,2 нм (среднеквадратичное отклонение). INTEL в настоящее время отказался от применения литографа-7 для производства изделий с минимальным размером элементов и нм. Руководство компании вложило порядка млн. ЭУФ-литографа фирмой EUV Со. В настоящее время нет компании, которая бы в одиночку бралась за разработку промышленного ЭУФ-литографа [5]. Справедливости ради следует отметить, что в последние годы появились групповые технологии на совершенно новых принципах, позволяющие получать структуры нанометрового масштаба. Это - нанопечатная литография (nanoprint lithography) [6,7], которая, по всей видимости, имеет неплохие перспективы. И, несколько схожая с ней по технологической подготовке и исполнению, литографически индуцированная самосборка наноструктур. Таким способом получена структура на полиметилметакрилате с характерным размером элементов порядка нм и периодом около нм [7]. В другой упомянутой выше технологии (литографически индуцированная самосборка) маска используется для запуска и регулирования процессов самосборки периодической надмолекулярной матрицы столбиков, формирующихся из полимерного расплава, который первоначально образует тонкий слой на подложке. Маска располагается над слоем полимера с небольшим зазором, а столбики полимера в процессе роста поднимаются в зазор, преодолевая силы тяжести и поверхностного . Границы области роста точно соответствуют контуру рельефа поверхности маски. Физическое смысл механизма роста пока не достаточно ясен, однако предполагается, что этот процесс вызывается электростатическими силами и электродинамической нестабильностью [8]. Основным преимуществом данного способа является то обстоятельство, что использование этого процесса позволит получать структуры меньшего размера, чем размеры маски. А существенным недостатком обоих способов является применение технологии изготовления пресс-формы для первого способа и маски для второго. Это - опять-таки традиционные технологии, такие как электронная литография, ионно-лучевое и плазмохимическое травление и т. В то же время применение эффекта туннелирования в зазоре между зондом особой конструкции и поверхностью подложки позволило достичь высокой пространственной разрешающей способности без применения высокоэнергетичных частиц и создать на их основе методы сканирующей зондовой микроскопии. Так появились нанотехнологические установки, основная задача которых, в отличие от обычных СТМ, заключается не просто в исследовании поверхности образцов, а в проведении различных нанотехнологических процессов между технологической средой и подложкой и исследовании физических и химических характеристик создаваемых при этом нанообъектов. В зарубежной литературе для таких установок существует термин «atomic assemblers», т. На основе этой техники стали развиваться методы нанотехнологии, использующие частицы с величинами энергий, определяемыми оптимальной энергией активации нанотехнологических процессов, а не энергией необходимой для их фокусировки. В зависимости от фазового состояния используемых сред нанотехнологические реакции можно разделить на три типа: реакции, происходящие в вакууме, в газе и в жидкости. Однако данное разделение не всегда корректно, вследствие сильной неоднородности вещества непосредственно в области между зондом и подложкой. Например, при работе в газовой среде, из-за малой величины туннельного зазора, меньшей расстояния между атомами и молекулами газа, процессы прохождения электронов практически эквивалентны прохождению электронов в вакууме. При определенных условиях - повышенном давлении, пониженной температуре или при применении газов с повышенным дипольным моментом, вследствие капиллярного эффекта газ в зазоре зонд-подложка конденсируется в жидкость. В то же время, при работе в жидкости при значительном энерговыделении в области реакции жидкость может перейти в газообразное состояние в виде нано или микропузырька.