Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур
- Автор:
Леженин, Владимир Петрович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Лазерное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O7- δ для применений в пассивных высокочастотных устройствах | Парафин, Алексей Евгеньевич | 2002 |
| Неравновесные фазовые превращения в примесно-дефектных подсистемах алмазоподобных полупроводников | Шерешевский, Дмитрий Изяславович | 2002 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния | Рыжук, Роман Валериевич | 2010 |