Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур
- Автор:
Леженин, Владимир Петрович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование преобразователя бета-излучения на основе кремниевой p-i-n МОП структуры | Краснов, Андрей Андреевич | 2017 |
| Разработка и исследование методов повышения быстродействия интегрированного в КМОП маршрут кремний-германиевого гетеропереходного биполярного N-P-N транзистора | Евдокимов, Виталий Дмитриевич | 2017 |
| Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе | Новиков, Сергей Геннадьевич | 1998 |