Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур

• Автор: Леженин, Владимир Петрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 133 с. : ил.

1.1. Общие принципы моделирования в микроэлектронике.

1.1.1. Иерархия моделей.

1.1.2. Система фундаментальных уравнений физики полупроводниковых приборов.

1.1.3. Геометрические модели МОПприборов.

1.2. Модели физических параметров.

1.2.1. Профиль распределения легирующей примеси.

1 2.2. Модели подвижности носителей заряда.

1.3. Модели МОПтранзисторсв с неоднородным распределением примеси в подзатвсрной области.

1.4. Модели базовых элементов МОП ИС.

1.5. Методы определения электрофизических параметров МОПструкгур.

ГЛАВА 2. Полуаналитическое моделирование статических параметров ионнолегированных МОПприборов.
2.1. Профили распределения концентрации имплантированной
примеси в подзагворных областях МОПприборов.
2.2. Расчет параметров ОПЗ в полупроводниках с гауссовским распределением легирующей примеси. Полуаналитическая модель ионнолегирсваниого МОПтранзистора
обогащенного типа.
2.3. Моделирование МОПтранзистора обедненного типа.
ГЛАВА 3. Физикотехнологическое моделирование базовых
элементов МОП ИС.
3.1. Аналитическая модель корреляционной связи статических параметров интегрального лрканального МОП инвертора
3.2. Оптимизация технологии МОП ИС по статическим параметрам
пары тестовых транзисторов.
3.3. Технологическая модель интегрального КМОП инвертора.
3.3.1. КМОП инвертор на подложке п типа.
3.3.2. КМОП инвертор на подложке р типа ГЛАВА 4 Применение полуаналитинеского моделирования для электрофизической диагностики неоднородно легированных МОПструктур.
4.1. Определение параметров границы раздела ионно
легированных МОПструктур.
4.2. Контроль планарной однородности дозы ионной имплантации 9 Заключение.
Список литературы


Уточнение модели осуществляется за счет усложнения как геометрической, так и фундаментальной модели исследуемого объекта и происходит до согласования с экспериментальными данными. Дальнейшее усложнение модели не имеет методологического смысла по принципу бритвы Оккама. Прикладная математическая модель строится на основе некоторых определяющих уравнений, отображающих фундаментальные законы прикладной науки, и соответствующих граничных и начальных условий. Поэтому прикладная математическая модель есть фундаментальная математическая модель плюс геометрическая модель. Система фундаментапьных уравнений физики полупроводниковых приборов. Наиболее известная модель переноса электронов и дырок в полупроводниковом приборе была предложена в 4. Она состоит из уравнения Пуассона уравнений непрерывности для электронов и дырок и выражений для электронного и дырочного токов
йпгдгас дрп ГI
1. МЛ, оЮ
пдгас ОпдгаФ,
р рР9гаОрдгаар
где г диэлектрическая проницаемость, потенциал, р заряд электрона, р,п,У концентрации дырок, электронов и полностью ионизованной примеси соответственно. Ор подвижности и коэффициенты диффузии свободных носителей. Эти соотношения образуют систему замкнутых дифференциальных уравнений в частных производных. Уравнение Пуассона 1. Максвелла, описывает распределение заряда в полупроводниковом приборе в частности, в лодзатворной области МОП транзистора. Уравнения непрерывности 1. Выражения для токов 1. Уравнения непрерывности и формулы для токов являются нетривиальным следствием уравнения Больцмана 4. Уравнения 1.