Термически- и радиационно-стойкие контакты "металл-карбид кремния" для приборов экстремальной электроники

• Автор: Афанасьев, Алексей Валентинович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 127 с. : ил.

1. Карбид кремния и приборные структуры на его основе.

Состояние вопроса.

1.1. Карбид кремния материал экстремальной электроники .

1.2. Униполярные приборные структуры различного функционального назначения на основе карбида кремния .

1.3. Барьеры Шоттки на карбиде кремния

Выводы и постановка задачи

2. Экспериментальные методы получения и исследования контактных систем металл карбид кремния

2.1. Методы получения и анализа металлических контактных

систем и защитноизолирующих покрытий на карбиде кремния

2.2. Методы исследования электрофизических и

термометрических характеристик диодных структур

3. Исследование свойств границ раздела и электрофизических параметров высокотемпературных поверхностно барьерных структур на основе карбида кремния.
3.1. Исходные монокристаллы для создания тестовых и
приборных структур . ,.
3.2. Подготовка поверхности монокристаллов БЮ.
3.3. Исследование физикохимических свойств границы раздела
металл карбид кремния
3.4. Электрофизические свойства ПБС на основе Сг6Н1С .
3.5. Исследование параметров тестовых структур при различных
температурах.
3.6. Теоретические исследования механизмов электронного
транспорта в диодных структурах на основе барьера Шоттки
Выводы.
4. Высокотемпературные диоды Шоттки на карбиде кремния.
Технология, исследования термической стабильности и
радиационной стойкости эксплуатационных параметров.
4.1 Технологические схемы формирования ПБС.
4.2 Основные электрофизические параметры экспериментальных образцов
4.3 Высокотемпературные испытания ПБС
4.4 Исследование радиационной стойкости высокотемпературных диодов Шоттки на основе карбида кремния.
Выводы
Заключение.
Список литературы


Основная часть работы изложена на 3 страницах машинописного текста. Работа содержит рисунка и 7 таблиц. КАРБИД КРЕМНИЯ И ПРИБОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ЕГО ОСНОВЕ. Карбид кремния единственное бинарное соединение углерода и кремния, существующее в твердой фазе. По структуре и химической связи вЮ имеет сходство с полупроводниками IV группы периодической системы. Основным типом связи является ковалентная связь, так как сумма атомных радиусов углерода гс 0, А и кремния г 1, А близка к межатомному расстоянию 1, А 6. Но, с другой стороны, в силу значительной разности электроотрицателыюстей у атомов кремния и углерода 0,7 по Паулингу, в 8Ю значительна доля ионной связи, которая составляет порядка 7. Поэтому наличие сильной ионноковалентной связи обуславливает энергетическую устойчивость карбида кремния, проявляющуюся в высоких значениях энергии агомизации 0 ккалгатом и температуры Дебая, которая составляет . К 2. В табл. Карбид кремния существует в виде множества кристаллических структур, которые построены из идентичных элементарных слоев, отличающихся лишь последовательностью их чередования. Политипные модификации БЮ известно более 0 политипов можно рассматривать как целый класс полупроводниковых материалов, сочетающий в себе многообразие электрофизических свойств и единую химическую природу материала. Как материал полупроводниковой электроники, карбид кремния обладает рядом уникальных электрофизических свойств. С одной стороны, это большая ширина запрещенной зоны от 2,4 до 3,3 эВ для разных политипов, высокая теплопроводность 3.