Схемотехника и моделирование полупроводниковых структур мощных аналогов негатронов, дефензоров и автогенераторов на их основе

• Автор: Заруба, Денис Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01, 05.12.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 124 с. : ил.

1. ОБЗОР СХЕМ И СТРУКТУР ТРАНЗИСТОРНЫХ АНАЛОГОВ

НЕГАТРОНОВ. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ДИССЕРТАЦИИ

2. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ МОЩНЫХ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ.

2.1. Аналоги динистора

2.2. Аналоги негатронов на МДПтранзисторах.

2.3. Исследование мощных аналогов негатронов с Ыобразными вольтамперными характеристиками на основе составных транзисторов
3. ИССЛЕДОВАНИЕ УСТРОЙСТВ ЗАЩИТЫ МОЩНОЙ ЦЕПИ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ НА ОСНОВЕ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ

3.1. Аналоги негатронов для защиты мощной цепи от перегрузки

3.2. Исследование термостабилыюсти дефензора на аналоге негатроиа

3.3. Дефензоры на вырожденных аналогах негатронов.

4. ИССЛЕДОВАНИЕ МОЩНЫХ АВТОГЕНЕРАТОРОВ НА ОСНОВЕ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ.

4.1. Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов.
4.2. Метод определения КПД мощных генераторов на аналогах негатронов
4.3. Особенности мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельным колебательным контуром.
4.4. Компьютерное моделирование мощного автогенератора на аналоге негатрона с параллельным колебательным контуром.
4.5. Планарные ЬСрезонаторы с распределенными параметрами как элементы нагрузки мощных автогенераторов
4.6. Мощные пьезогенераторы на аналоге негатрона.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК.
ВВЕДЕНИЕ


Необходимо рассмотреть особенности, достоинства и недостатки этих устройств. Целью работы является синтез схем и моделирование мощных аналогов негатронов, построенных на их основе дефензоров и автогенераторов. Для достижения указанной цели предполагается решение следующих задач
при достаточной индуктивности катушки на соответствующих рабочих частотах. Рассмотрим схемы ЛН с Бобразной ВАХ, нашедшие практическое применение 6. На рис. ВАХ между клеммами аб вида кривой 1 см. СХ и а2 динамические коэффициенты передачи по току
соответствующих транзисторов в схеме с общей базой аАД,, Д1к, Д1,приращения токов коллектора и эмиттера, соответственно. Как видно, отрицательное сопротивление наблюдается, если о. Это соотношение обычно выполняется, так как при нормальном питании а1. Наличие в знаменателе члена 1а2 говорит о низкой режимной и температурной стабильности так как величина а2 близка к единице и заметно меняется в зависимости от тока эмиттера и температуры. На рис. ВАХ между клеммами аб вида кривой 1 см. Л3 Л2а,а1. Видно, что Я, отрицательно также при аа, но более стабильно, чем у аналога однопереходного транзистора. Рис. Схема аналога Рис. Аналог динистора на КМОПтранзисторах приведен на рис. Здесь транзистор УТ1 с индуцированным каналом типа, а транзистор УТ2 со встроенным каналом типа. Ц и 5 и Б2 динамические коэффициенты усиления по напряжению и крутизна соответствующих транзисторов. На рис. АН на биполярных транзисторах одинакового типа проводимости 1. Они имеют ВАХ вида кривой 2 рис. Л, 0,5 г,,а2а3.