Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
- Автор:
Ханин, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
95 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Пассивные и активные мембраны для устройств микросистемной техники | Кривошеева, Александра Николаевна | 2007 |
| Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы | Голишников, Александр Анатольевич | 2002 |
| Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния | Михайлов, Алексей Игоревич | 2018 |