Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
- Автор:
Ханин, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
95 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах», автор — Ханин, Юрий Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Черноголовка в 2002 году. Объем работы: 95 с. : ил. Внутренний код товара: 01002294983. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка методов получения фоточувствительных полупроводниковых слоев на основе соединений A2B6 для тандемных солнечных элементов | Коновалов, Александр Владимирович | 2013 |
| Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2014 |
| Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей | Быков, Виктор Александрович | 2000 |