Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
- Автор:
Ханин, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
95 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование LOW-g электростатических микроэлектромеханических генераторов | Доржиев, Виталий Юрьевич | 2016 |
| Исследование и разработка схемотехнических методов снижения нелинейных и линейных искажений сигналов в СВЧ микрополосковых приемопередающих устройствах при улучшении их массогабаритных и энергетических характеристик | Дутышев, Иван Николаевич | 2008 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктурированных пленок ZnO методом импульсного лазерного осаждения для чувствительных элементов газовых сенсоров | Замбург, Евгений Геннадьевич | 2015 |