Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов
- Автор:
Шангереева, Бийке Алиевна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе макроциклических соединений и исследование их электрофизических свойств | Невешкин, Александр Александрович | 2006 |
| Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов | Бородкин, Игорь Иванович | 2012 |
| Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi | Молдавская, Мария Давидовна | 2000 |