Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов
- Автор:
Шангереева, Бийке Алиевна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур | Дроздовская, Людмила Михайловна | 1997 |
| Разработка и оптимизация конструктивных и технологических решений туннельных нанопреобразователей | Балан, Никита Николаевич | 2011 |
| Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах | Филипенко, Наталья Андреевна | 2002 |