Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов
- Автор:
Шангереева, Бийке Алиевна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Махачкала
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов», автор — Шангереева, Бийке Алиевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Махачкала в 2006 году. Объем работы: 152 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003042056. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансные свойства трехслойных металлических кантилеверов наноразмерной толщины | Уваров, Илья Владимирович | 2013 |
| Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4 | Исаков, Михаил Александрович | 2010 |
| Исследование и разработка кремниевого многоцелевого координатного детектора радиационных частиц и излучений | Удалов, Василий Андреевич | 2006 |