Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС

• Автор: Денисенко, Марк Анатольевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 268 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ

АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ СИСТЕМ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ УБИС .

Анализ состояния и перспектив развития современной

оптоэлектроники

Анализ методов построения элементов быстродействующих

систем оптической коммутации ядер многоядерных У БИС

Выводы

РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ ИНТЕГРАЛЫТЫХ

СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ

Разработка методов построения модулируемых источников оптического излучения

Разработка методов построения быстродействующих систем оптической коммутации

на основе функционально
интегрированных лазеровмодуляторов
Выводы
РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ, МЕТОДОВ И СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМ
ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ .
Разработка моделей, методов и средств моделирования модулируемых источников
оптического излучения ,
Анализ результатов численного моделирования быстродействующих модулируемых
источников оптического излучения для интегральных систем оптической коммутации
УБИС .
Выводы
РАЗРАБОТКА ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ
УБИС
Разработка конструкций и технологических маршрутов изготовления
быстродействующих систем оптической коммутации на основе функционально
интегрированных лазеровмодуляторов 7
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ


АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ СИСТЕМ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ УБИС . ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ . УБИС . В.1 3. Рис. В.1. ЕЮ6
1. ЕЮ1
1. Рис. В.2. Рис. В.З. В.4 8. На рис. Рис. В.4. УБИС. УБИС. РФ госконтракт . Курчатовский институт г. Москва, Южного научного центра РАН г. Технологического института ФГАОУ ВПО Южный федеральный университет в г. Таганроге. Инновации ОТК . Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Ii. НОвации НАНО. Нанотехнологии . КРЭС Таганрог, . ВАК РФ, получен 1 патент РФ. Рис. Гбитс и более . ИКизображений, а также ультразвуковых полей. АШВУ и АПВУ. УБИС 3, . В компании I подобного рода исследования ведутся с середины х годов. ГГц. I также планируют использовать кремний. При уменьшении размеров элементов и увеличении их числа на кристалле рис. УБИС . Рис. ГГц. Гбитс и выше сопряжена с серьезными трудностями. Рис. Тбитс за счет увеличения числа используемых каналов. Рис. ПК на расстоянии до 0 м. Гбитс. ПК . I, I и др. Предлагаемый 1Ше1 лазер назван гибридным, т. Рис. Рис. Ю2.