Разработка конструкций и технологий производства изделий знакосинтезирующей электроники

• Автор: Кузьмин, Николай Геннадьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 351 с. : ил.

Введение.
Глава 1. Литературный обзор. Современное производство знакосинтезирующих индикаторов .

1.1. Жидкокристаллические индикаторы на твистэффекте

1.2. Вакуумнолюминесцентные индикаторы.

1.3. Общие конструктивные особенности изделий знакосинтезирующей электроники

1.4. Общие технологические.особенности производства изделий зиакосинтезирующей электроники .

1.5. Краткий анализ литературных данных по конструированию

и технологии производства индикаторных устройств в их серийном производстве.

1.6. Система обеспечения технического уровня и качества продукции

в производстве изделий электронной технике ОАО Рефлектор

Раздел I. Усовершенствование традиционных технологий производства

зиакосинтезирующих индикаторов
Глава 2. Оптимизация процесса получения на электродных пластинах
знакосинтезирующих индикаторов прозрачных ГГОпленок .
2.1. Конденсация, образование зародышей и рост тонких пленок
2.2. Общая характеристика 1ТОпленок, полученных методом вакуумного напыления.
2.3. Модель реактивного распыления индия в магнетронной установке
2.4. Разработка способов управления магнетронным разрядом
при реактивных процессах напыления ГГОпленок
2.5. Технология напыления прозрачных проводящих 1ТОпленок
на магнетронных установках при серийном выпуске электродных плат жидкокристаллических устройств.
2.6. Свойства ГГОпленок, полученных магиетронным реактивным распылением на постоянном токе в производстве
жидкокристаллических устройств
2.7. Анализ атмосферы в камере магнетронного распыления ГГОпленок
2.8. Термическая стабильность электрической проводимости ГГОпленок
2.9. Очистка стеклянных подложек электродных плат.
2 Выводы к главе 2
Глава 3 Оптимизация технологии формирования тонких диэлектрических
ориентирующих жидкие кристаллы слоев пленок в ЖКИ, обеспечивающих заданный угол подвеса молекул ЖК
3.1. Косонапыленные пленки на основе монооксидов
германия и кремния
3.2. Ориентация жидких кристаллов на текстурированных полиимидных пленках
3.3. Модификация ориентирующей поверхности на пластинах жидкокристаллических индикаторов.
3.3.1. Модификация косоиапыленных пленок ЭЮ.
3.3.2. Модификации косонапыленных пленок веО .
3.3.3. Модификация текстурированных полиимидов.
3.4. Выводы к главе 3
Глава 4. Оптимизация вакуумной технологии введения жидких
кристаллов в пакет индикаторов .
4.1. Общие положения
4.2. Влияние технологических процессов введения жидких кристаллов .
в пакет индикаторов на их расход.
4.3. Влияние чистоты оснастки на удельную проводимость
ЖК материалов
4.4. Ориентационные дефекты капиллярной структуры жидкого кристалла в процессе введения его в межэлекгродный зазор.
4.5. Выводы к главе 4
Раздел II. Новые конструкторскотехнологические решения в производстве
знакосинтезирующих индикаторов .
Глава 5. Составы, технологии получения и применения материалов
и растворов в производстве зиакосинтезирующих индикаторов
5.1. Разработка альтернативных материалов и способов создания ориентирующего микрорельефа в жидкокристаллических индикаторах .
5.2. Особенности применения диэлектрических паст и полимерных композитов в производстве знакосинтезирующих индикаторов
5.2.1. Цементы.
5.2.2. Калибраторы
5.2.3. Стсклопорошки.
5.2.4. Адгезионные свойства системы полиимид наполнитель
5.2.5. Герметизирующие полимерные композиции
5.2.6. Электроизоляционная герметизирующая композиция.
5.2.7. Технология применения диэлектрических паст в серийном производстве анодных плат В ЛИ .
5.2.8. Технология нанесения полимерных диэлектрических растворов
5.2.9. Печатные краски трафаретного нанесения.
5.3. Выводы к главе 5 .
Глава 6. Новые конструкторскотехнологические решения
в производстве знакосинтезирующих индикаторов
6.1. Новые групповые методы и технологии формирования топологического рисунка жидкокристаллических индикаторов
6.2. Топологический рисунок для жидкокристаллических дисплеев шахматных миниЭВМ.
6.3. Многоуровневая топология электродных плат индикаторов.
6.4. Электрооптические характеристики жидкокристаллических индикаторов .
6.5. Жидкокристаллические индикаторы с повышенной эксплуатационной надежностью
6.6. Электрогидравлический эффект в технологии производства изделий знакосинтезирующей электроники
6.7. Матрицы тонкопленочных транзисторов для управления жидкокристаллическим дисплеем.
6.8. Выводы к главе 6
Раздел III. Автоматизация процесса изготовления знакосинтезирующих
индикаторов на основе новых физикотехнологических решений 3 Глава 7. Автоматизация процесса изготовления пакетов индикаторов
в серийном производстве .
7.1. Сборка корпусов жидкокристаллических индикаторов .
7.2. Автоматический анализ индикаторов на короткие замыкания.
7.3. Технология получения переходного электрического контакта
в жидкокристаллических индикаторах
7.4. Плазмохимическая технология в реализации переходного электрического контакта в индикаторных устройствах .
7.5. Выводы к главе 7 .
Глава 8. Контроль качества жидкокристаллических материалов
в производственных условиях .
8.1. Химический состав.
8.2. Диэлектрические константы и диэлектрическая проводимость
8.3. Оптические константы жидкокристаллических материалов .
8.4. Установка типа СМ5М комплексных электрических испытаний жидкокристаллических материалов.
8.5. Выводы к главе 8 .
Основные выводы
Литература


В зависимости от уровня качества технологического процесса и уровня соблюдения технологической дисциплины для данного технологического процесса определяется категория аттестата качества в соответствии с табл. Таблица 1. Задачами контроля качества продукции на предприятии являются установление и обеспечение соответствия процесса изготовления продукции требованиям конструкторской, технологической и эксплуатационной документации и опытных образцов разрабатываемой продукции требованиям ТЗ уровня качества продукции требованиям нормативнотехнической документации. Основным элементом контроля качества продукции служит входной контроль, задачами которого являются контроль материалов, заготовок и полуфабрикатов, получаемых по кооперированным поставкам, а также химических продуктов, применяемых в технологических процессах проверка характеристик, работоспособности и анализ отказов комплектующих изделий. Организация входного контроля должна обеспечивать порядок его проведения и оформления документации на годную и зарекламированную продукцию, а также взаимоотношения предприятия с поставщиком. В заключении данного раздела приведем иллюстрацию Круга качества, озвученную г. Совещании по возрождению Саратовской системы бездефектного труда рис. СкГ я я О. Е
т. Рис. Рис. Мы не будем подробно останавливаться на рис. Приведенная схема является для ОАО Рефлектор определенным вектором в обеспечении качества продукции. Организация бездефектного груда Система бездефектного труда на ОАО Рефлектор представляет собой комплекс взаимосвязанных организационных, технических и экономических мероприятий, направленных на улучшение качества труда каждого работающего, повышение качества выпускаемой продукции, повышение экономической эффективности производства. Таким образом, анализ литературных данных подтверждает актуальность поставленной в работе проблемы создание научных основ производства изделий индикаторной электроники на новых физикотехнических решениях с применением вновь разрабатываемого и стандартного оборудования и материалов с максимальной унификацией базовых элементов в рамках единой системы конструкция материалы технология применение. По данному разделу работы автором опубликована монорафии, учебные пособия, статьи А1А6, АЗ 2. РАЗДЕЛ I. Глава 2. Прежде чем остановится на исследованиях по формированию тонких 1ТОпленок, кратко рассмотрим закономерности их роста на стеклянных подложках. Приведенные ниже рассуждения легли в основу разработки соответствующих моделей и технологий получения проводящих слоев в массовом производстве индикаторов. Известно, что свойства тонкой пленки могут сильно отличаться от параметров массивного материала. Аномальные свойства обусловлены спецификой структуры пленки, которая зависит от процессов, происходящих во время образования пленки. Покинувшие поверхность источника частицы вещества движутся через вакуумное пространство к подложке с большими скоростями порядка сотен и даже тысяч метров в секунду и достигают ее поверхности, отдавая ей при столкновении часть энергии. Доля передаваемой энергии тем меньше, чем выше температура подложки. Идет процесс конденсации перехода из газообразного состояния в жидкое или твердое. Конденсация начинается с соединения нескольких адсорбированных атомов в небольшое скопление, которое называется зародышевым центром, а процесс его образования зародышеобразовапием. Процесс увеличения зародышевых центров и образование однородной пленки называется ростом пленки. Часто образование зародышей и их рост происходят одновременно в процессе получения пленки. Одиако процесс конденсации недостаточно рассматривать просто как случайное падение на подложку липких шариков, которые прилипают там же, где и упали. Атомы обладают достаточно большой поверхностной подвижностью. Отдав часть энергии поверхности, частица сохраняет все же некоторый избыток энергии и способна мигрировать перемещаться но поверхности подложки. Постепенно она теряет избыток своей энергии, приближаясь к тепловому равновесию с подложкой та часть энергии, которую частица теряет при движении, фиксируется конденсируется на подложке.