Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
- Автор:
Рыжук, Роман Валериевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термодиэлектрические свойства композитных материалов на основе наночастиц оксидов переходных металлов в матрице полиэтилена высокого давления | Ульзутуев, Александр Николаевич | 2009 |
| Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2014 |
| Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов | Плотникова, Екатерина Юрьевна | 2015 |