Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
- Автор:
Рыжук, Роман Валериевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия | Гапонова, Дария Михайловна | 2002 |
| Разработка инженерных методов проектирования и создание гибридно-интегральных транзисторных усилителей мощности сантиметрового диапазона длин волн для передатчиков доплеровских РЛС | Шипило, Евгений Михайлович | 2017 |
| Методы моделирования СБИС с использованием полунатурной модели МОП-транзистора | Денисенко, Виктор Васильевич | 2010 |