Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
- Автор:
Рыжук, Роман Валериевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероэпитаксиальные планарные структуры из монокристаллического молибдена и ниобия и их электронно-транспортные свойства | Маликов, Илья Валентинович | 2000 |
| Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5 | Хренов, Григорий Юрьевич | 1999 |
| Разработка технологии КМОП ИС на структурах КНД | Кольцов, Борис Борисович | 2001 |