Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния
- Автор:
Рыжук, Роман Валериевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
141 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Разработка и исследование технологических основ формирования диодных ионно-легированных структур на основе карбида кремния», автор — Рыжук, Роман Валериевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Таганрог в 2010 году. Объем работы: 141 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004800584. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов | Плотникова, Екатерина Юрьевна | 2015 |
| Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин | Булатов, Андрей Николаевич | 2005 |
| Исследование и разработка кремниевого многоцелевого координатного детектора радиационных частиц и излучений | Удалов, Василий Андреевич | 2006 |