Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
- Автор:
Лысенко, Александр Павлович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
396 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термодиэлектрические свойства композитных материалов на основе наночастиц оксидов переходных металлов в матрице полиэтилена высокого давления | Ульзутуев, Александр Николаевич | 2009 |
| Разработка и исследование чувствительных элементов датчиков давления на основе структур "кремний на сапфире" с использованием лазерных технологий | Буй Тхань Хай | 2016 |
| Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктур на основе арсенида галлия методом молекулярно-лучевой эпитаксии для элементов микро- и наноэлектроники | Солодовник, Максим Сергеевич | 2013 |