Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
- Автор:
Лысенко, Александр Павлович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
396 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронные транспортные и тензорезистивные свойства композитов с углеродными наноструктурированными материалами и халькогенидов переходных металлов | Кузнецов, Виталий Анатольевич | 2019 |
| Полупроводниковые структуры для мембранных кремниевых фотоэлектрических преобразователей | Максимов, Юрий Алексеевич | 2004 |
| Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием | Гейфман, Евгений Моисеевич | 2000 |