Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
- Автор:
Лысенко, Александр Павлович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
396 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка технологии изготовления и исследование сенсорных элементов на основе анодных оксидных пленок меди | Светличная, Людмила Александровна | 2008 |
| Разработка технологии изготовления, исследование свойств нанокомпозитного материала состава SiO2SnOxCuOy и характеристик сенсора газа на его основе | Копылова, Наталья Федоровна | 2009 |
| Синтез и свойства металлооксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов | Плотникова, Екатерина Юрьевна | 2015 |