Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений
- Автор:
Поляков, Вадим Витальевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1995
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах | Ханин, Юрий Николаевич | 2002 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия низкоразмерных систем на основе гетероструктурных и δ-легированных квантовых ям на подложках GaAs различной ориентации | Галиев, Галиб Бариевич | 2003 |
| Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами | Путря, Михаил Георгиевич | 2002 |