Низкоразмерные планарные структуры на основе монокристаллических тугоплавких металлов, проявляющие волноводные и баллистические свойства

• Автор: Михайлов, Геннадий Михайлович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 361 с. : ил.

Стр. Глава 1. Классические эффекты. Волновые эффекты. Баллистический электронный транспорт. Модель ЛандауэраБутгикера. Методы микроструктурирования эпитаксиальных планарных низкоразмерных структур. Методы получения эпитаксиальных пленок. Глава 2. Методы исследования состава и электронного строения. Глава 3. Введение к главе 3. Однослойные эпитаксиальные пленки тугоплавких металлов. Многослойные эпитаксиальные пленки. Монокристаллические микроструктуры из тугоплавких металлов. Заключение к главе 3. Глава 4. Исследование магнетосопротивления для магнитного поля в плоскости структуры. Мостиковыс структуры. Многотерминальные структуры. Геометрический и возвратный баллистический эффект в магнетосопротивлении. Исследование магнетосопротивления для магнитного поля перпендикулярного плоскости структуры. Магнетосопротивление планарных наноструктур. Продольное, изгибное и холловское напряжения. Эксперимент по поперечной магнитной фокусировке. Заключение к главе 4. Глава 5. Введение к главе 5. Размерные зависимости в проводимости планарных структур.


В силу малости этого параметра, с учетом того, что аЬ9с, очевидно также требование малости угла отсечки для эффекта затенения вс. Кроме этого, угол подлета электрона к поверхности не должен быть слишком мал С, и, таким образом, в области совсем малых углов используемое приближение не правомочно. Аналитическое выражение 1д в рамках этих моделей получено для Гауссового типа поверхностей для фрактального типа оно отсутствует. К, Щ1 Иг,
где автокорреляционная функция равна гггг, 3 функция Бесселя 1го рода, крк2 и гх,у. Релейяка1 и 1. Существенным при рассмотрении граничного условия является соотношение ширины углового распределения индикатрисы рассеяшя ф и угла подлета к
поверхности ккр. Для области углов 0С 0 ф уравнение 1. Для соотношения углов Эс фв угловое распределение ядра в 1. ФоккераПланка . Таким образом, физические условия рассеяния на границе существенно определяются соотношением углов в и ф . Отметим, однако, то, что при таких рассуждениях предполагался резкий спад подинтегральных функций при углах больших некоторой характерной ширины, считая вклад от хвостов распределений несущественным. Это заведомо так для сильных функций, таких как функция Гаусса 1. Более того, в случае расходимостей матричных элементов при использовании степенных зависимостей 1. Ь, так как вклад для больших углов рассеяния больших превалирует, и отсечки величины вектора рассеяния не происходит. Ограничением для максимального вектора рассеяния становится размер фермиевской сферы 2кРу либо величина 1г. С этой точки зрения корреляционной длиной выступает величина 1йтохпахкг, г,, где г, радиус экранирования.