Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения
- Автор:
Зебрев, Геннадий Иванович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
126 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения», автор — Зебрев, Геннадий Иванович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Москва в 2003 году. Объем работы: 126 с. : ил. Внутренний код товара: 01002608607. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных пленок и структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне | Румянцев, Владимир Владимирович | 2014 |
| Разработка способов оптимизации технологии металлизации полупроводниковых структур | Гукетлов, Хасан Мухамедович | 2004 |
| Разработка процессов формирования диэлектрических пленок и микроэлектронных систем для интегральной электроники | Саркаров, Таджидин Экберович | 2002 |