Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения
- Автор:
Зебрев, Геннадий Иванович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
126 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование быстродействующих наноструктур СБИС с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда | Рындин, Евгений Адальбертович | 2007 |
| Исследование влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур на переходные процессы в быстродействующих тиристорах | Ковров, Алевтин Михайлович | 1986 |
| Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки | Лагов, Петр Борисович | 2017 |