Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения
- Автор:
Зебрев, Геннадий Иванович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
126 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника | Бухаров, Владимир Эдуардович | 2003 |
| Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах | Кудрявцев, Константин Евгеньевич | 2013 |
| Формирование и диагностика нанометровых многослойных гетероструктур с двумерным электронным газом высокой плотности | Гук, Александр Витальевич | 2000 |