Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования

• Автор: Зебрев, Геннадий Иванович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 156 с. : ил.

ГЛАВА 1. ГЛАВА 2. ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. ГЛАВА 4. Зависимость критического заряда ячейки статической памяти от ее схемотехнических параметров
4. Зависимость критического заряда ячейки статической памяти от дозы предварительного облучения

4. Перспектив развития наноразмерных радиационностойких КНИ КМОП технологий

4. ГЛАВА 5. Подход Прэдфода 4

описывается выражением для связи затворного напряжения и поверхностного потенциала V , получаемой при решении уравнения Пуассона. Такой подход позволяет выделить моделирование электростатики слоистой структуры транзистора в отдельную задачу и даст возможность рассчитывать единым образом различные конфигурации приборов. В частности, это позволило обобщить модель на случай КНИ транзисторов с частично и полностью обедненным телом. Эти модели использовались для предварительной экстракции параметров для стандартных I моделей и расчетов радиационноиндуцированиых токов утечки в схемах КМОП КНИ технологиях 0. НИИСИ. Обобщенная модель КНИ транзисторов с полностью обедненным телом была опубликована в работе , и подробно описана в монографии автора .