Исследование и разработка конструкций и технологии изготовления самосовмещенных комплементарных полевых транзисторных структур с субмикронными размерами

• Автор: Орлов, Олег Михайлович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 246 с. : ил.

Диссертационная работа посвящена решению актуальной научнотехнической задачи по исследованию новых конструкций и технологий изготовления самосовмещенных комплиментарных транзисторных структур СБИС с субмикронными топологическими размерами. КМОП СБИС субмикронного топологического диапазона с высоким процентом выхода годных. МОП транзистор с периодически легированным каналом МОП ПЛК. СБИС по крайней мере в несколько раз. Научная новизна диссертации подтверждается приоритетными публикациями, авторскими свидетельствами и патентами. ОАО НИИМЭ и МИКРОН, ЗАО Корона Семикондакгори т. Глава 1 1. Глава 2

2. Тенденции и этапы развития КМОП СБИС

Проблемы и трудности развития КМОП технологии, поиск соответствующих конструктивнотехнологических решений Физические и математические модели КМОП транзисторов с 0,,8 мкм проектной нормой, функционально интерированньх полевых транзисторов с двойным полевым управлением ПТДПУ и МОП транзисторов с периодически легированным каналом ПЖ. Анализ экспериментальных образцов полевого транзистора с двойным полевым управлением.


Приходится применять так называемый метод нанесения атомарных слоев, в котором используется газ, состоящий из небольших молекул, хорошо прилипающих к кремнию, но не сцепляющихся друг с другом. Сначала подложку подвергают воздействию этого газа в течение довольно длительного времени, чтобы он успел осесть на всей поверхности пластины. При последующей обработке вторым газом, который реагирует с первым, формируется слой покрытия высотой в одну молекулу. Поочередно подвергая подложку воздействию обоих газов, слой за слоем наносят изолятор требуемой толщины. Раньше считалось, что литография не годится для изготовления деталей меньше длины волны используемого света. Однако, сейчас элементы с размером нм создаются с помощью ультрафиолетового излучения с длиной волны 8 нм. Методы и устройства, применяемые для решения таких задач, это оптическая коррекция микрозазоров, маски с фазовым сдвигом, эксимерные лазеры. Когда размер элементов структуры меньше длины световой волны, искажения, возникающие вследствие оптической дифракции, можно заранее рассчитать и учесть. Затем остается сформировать маску такой формы, чтобы с учетом дифракции она позволяла получить на кремнии нужное изображение. Такой подход позволяет изготавливать транзисторы с элементами не больше нм, используя свет с длиной волны 3 нм. Однако методы поправок на дифракцию применимы лишь до определенного предела. Поэтому ученые работают над новыми способами формирования изображений с еще более высоким разрешением. Весьма многообещающим выглядит переход к использованию света с еще меньшей длиной волны.