Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования

• Автор: Ивин, Владимир Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 146 с.

Оглавление. Глава 1. Важнейшие характеристики фотолитографического процесса. Выбор оптимальных параметров технологического процесса. Основные трудности при использовании математического моделирования. Вопросы точности и скорости счета. Определение модельных параметров. Глава 2. Математические модели современного фотолитографического процесса. Формирование оптического изображения проекционной системой. Порядок расчет оптического изображения. Вопросы применимости используемой модели. Формирование скрытого изображения в резисте. Послеэкспозиционный отжиг резиста. Вопросы применимости используемых моделей. Выводы. Глава 3. Исследуемые характеристики фотолитографических процессов. КгК лазера длина волны 8 нм. Предельные возможности адаптации Процесса 8 . АгК лазера длина волны 3 нм. Разрешение и глубина фокуса Процесса 3. Как было отмечено в Введении, увеличение степени интеграции ИС сопровождается уменьшением размеров структурных элементов, размещаемых на кристалле. Подобная тенденция приводит к необходимости периодического обновления производственного оборудования оптической литографии, поскольку каждая фотолитографическая установка имеет ограничения относительно своей максимальной разрешающей способности.


Важность второго параметра обусловлена тем обстоятельством, что современные ИС имеют, вообще говоря, непланарную структуру, т. Из теории формирования изображения проекционной оптической системой известно, что разрешающая способность разрешение и доступная глубина фокуса ГФ, определяемая по минимально разрешимому элемент, связаны с длиной волны излучения I и числовой апертурой объектива англ. А, к2 соответствует т. На практике разрешение и ГФ фотолитографического процесса определяются не только проекционной системой, но и характеристиками используемого резиста и подложки, а также особенностями формирования изображения в самой системе. Например, за счет применения высокочувствительных резистов, антиотражающих слоев, или фазовых шаблонов можно добиться лучшего разрешения или большей ГФ всего процесса при использовании одной и той же проекционной системы. Кроме того, как разрешение, так и ГФ существенно зависят от типа рассматриваемых элементов топологии ИС как правило, для изолированных элементов можно достичь лучшего разрешения или большей ГФ, чем для близко расположенных. Поэтому для практической оценки возможностей конкретной фотолитографической установки необходимо проводить специальное исследование, в котором разрешение и ГФ определяются для всех критичных элементов и типоразмеров, специфичных для каждого типа ИС. В результате такого исследования и определяются проектные нормы, для которых возможен приемлемый выход годных на данной установке. В качестве иллюстрации к вышесказанному рассмотрим следующий пример.