Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания элементов фоточувствительной микросистемы с использованием методов приборно-технологического моделирования

• Автор: Балашов, Александр Геннадьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 143 с. : ил.

Содержание
Введение
1. Характеристики элементов фоточувствительных микросистем и методы их моделирования.

1.1. Структура фоточувствительных микросистем.

1.2. Задачи и методы приборнотехнологического моделирования.

1.3. Особенности технологического моделирования.

1.4. Приборное моделирование субмикронных структур.

1.5. Выводы
2. Приборнотехнологическое моделирование МДПтранзисторных структур субмикронных размеров.

2.1. Особенности структуры, влияющие на выбор моделей.

Критерии выбора моделей и их параметров.

2.2. Калибровка моделей при приборнотехнологическом
моделировании ПТМ субмикронных структур
2.3. Моделирование и оптимизация МОПтраизистора с длиной
канала 0, мкм
2.4. Выводы
3. Исследование конструктивнотехнологических принципов создания транзисторов с дельталегированием в области канала.
3.1. Особенности структуры транзистора.
3.2. Проблемы технологического моделирования непланарной
структуры транзистора с узкими профилями легирования.
3.3. Моделирование сложного рельефа при окислении и
травлении.
3 А. Приборное моделирование структуры с учетом нелокальных
эффектов транспорта носителей.
3.5. Выводы
4. Разработка методов моделирования и конструктивно
технологических решений создания фоточувствительных
элементов.
4.1. Приборнотехнологическое моделирование
фоточувствительных элементов.
4.2. Структура фотодиода с лавинным умножением.
4.3. Анализ и оптимизация конструкции фотодиода.
4.4. Выводы
Заключение.
Список использованных источников


Исследование влияния конструктивно-технологических параметров на характеристики фотодиода с помощью пакета программ ISE TCAD», Тезисы докладов Девятой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика», том 1, стр. Москва, МЭИ, . A. Balashov, T. Krupkina, R. Tikhonov, “The Investigation of peripheral photodiodes”, ICMNE-, Abstracts, D-3, Moscow-Zvenigorod, . А.Г. Балашов, «Исследование и оптимизация гидродинамической модели переноса заряда и модели энергетического баланса при моделировании субмикронных приборов с помощью ISE TCAD», Труды Девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Часть 2, стр. Дивноморское, . В.Д. Вернер, А. Г. Балашов, А. И. Галушков, Т. Ю. Крупкина, «Исследование и моделирование вертикального МДП-транзистора с планарно-легированным барьером», Труды Девятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Часть 1, стр. Дивноморское, . V.D. Verner, A. G. Balashov, A. I. Galushkov, T. Y. Krupkina, “Simulation of vertical planar-doped-barrier MOSFET (PDBFET)”, VI International congress on mathematical modeling, Book of abstracts, p. Nizhny Novgorod, . A. Balashov, A. Galushkov, T. Krupkina, A. Saurov, “Simulation of planar-doped-barrier submicron field effect transistor”, International conference “Micro- and nanoelectronics ”, Book of abstracts, PI-, Moscow, Zvenigorod, . V. Verner, A. Balashov, A. Galushkov, T. Krupkina, “Models selection criteria for simulation of submicron transistor structure characteristics”, International conference “Micro- and nanoelectronics ”, Book of abstracts, PI-, Moscow, Zvenigorod, . А.Г. Балашов, Т. Ю. Крупкина, A. C. Цимбалов «Критерии выбора моделей при расчете приборных характеристик субмикронных транзисторных структур», Сборник трудов Всероссийской научно-технической конференции «Проблемы разработки перспективных микроэлектронных систем», МЭС-, стр. Москва, . А.Г. Балашов, «Исследование порогового напряжения вертикальной МОП-структуры с использованием методов приборно-технологического моделирования», Известия высших учебных заведений «Электроника», №3, стр. Москва, . Попов А. Д., Крупкина Т. Ю., Балашов А. Г., Галушков А. И., «Возможности использования вертикальных МОП-транзисторов в ИК-матрицах с чувствительными элементами на квантовых ямах», Труды Десятой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, . A. Zakharov, A. Balashov, Т. Krupkina, «Numerical Solutions of Design Nonplanar Transistor Structures. Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, приложений, содержащих акты внедрения результатов работы, списка использованных источников из 5 наименований. Создание техники нового поколения в важнейших отраслях промышленности в настоящее время невозможно без освоения и развития широкого спектра изделий микроэлектронной и микросистемной техники. В основе этих изделий лежат приборы, использующие самые различные, зачастую сложные и тонкие, физические эффекты, а также всевозможные их комбинации [2]. Одним из таких классов являются оптоэлектронные приборы, принцип действия которых основан на взаимосвязи электронных и оптических процессов. Такие приборы могут использоваться как датчики, фотодетекторы, лазеры и солнечные элементы. Создание таких устройств требует развития и совершенствования микроэлектронной технологии, использования новых материалов и полупроводниковых соединений. Взаимосвязь технологических процессов и приборных характеристик определяет такие показатели как технологичность изделия и выход годных. В свою очередь, именно от них зависит жизнеспособность данного изделия и его экономические характеристики. Учесть влияние технологических факторов на свойства полупроводниковых приборов и сократить затраты на их проектирование призваны системы приборно-технологического моделирования, уже более лет развивающиеся применительно к кремниевой интегральной технологии.