Влияние особенностей состава и технологии получения наноразмерных пленок Ленгмюра-Блоджетт на их показатель преломления и толщину

• Автор: Гецьман, Максим Александрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 176 с. : ил.

Глава 1. Показатель преломления и толщина пленок ЛенгмюраБлоджетт 1. Особенности исследования многослойных пленочных структур 1. Фотополимсрнзация. УФфотолиз. Исследование связи эллипсометрических параметров с характеристиками поверхностного барьера полупроводника в области субмонослойных покрытий 1. Глава 2. УЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ НА РЕЗУЛЬТАТЫ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ 2. Расчет показателей преломления и поглощения подложки 2. Глава 3. Мономолекулярные слои и пленки ЛенгмюраБлоджетт на основе Рциклодскстринов с различным числом алкильных цепей 3. Являясь бесконтактным методом измерений, эллипсометрия является наиболее предпочтительной для контроля качества изготовляемых изделий, где необходим контроль локальный поверхности. Эллипсометрия хорошо себя зарекомендовала в микроэлектронике для контроля многих технологических процессов изготовления микроэлектронных изделий, таких, как механическая и химическая финишные обработки пластин, нанесение диэлектрических пленок, ионное бомбардирование, фотолитография, термообработка, анодное окисление полупроводников .


В последнее время появилась сканирующая эллипсометрия, позволяющая исследовать всю поверхность образца с большой локальностью получаемых данных и строить образы поверхностей . Одной из особенностью данного метода является то, что для интерпретации экспериментальных данных необходим численный расчет, который невозможно эффективно и быстро провести без применения ЭВМ. До недавнего времени это являлось недостатком эллипсометрии, что тормозило развитие применения эллипсометрии. Однако в нынешнее время эта особенность уже не является существенной. Измерения осуществляются с помощью специального прибора эллипсометра , а результаты измерения интерпретируются с помощью ЭВМ в соответствии с типом и свойствами отражающей системы, моделирующей измеряемый объект. Сущность метода эллипсометрии основана на том факте, что при отражении электромагнитной волны на границе раздела двух сред амплитуды и фазы электрического вектора Е меняются в общем случае поразному. Поэтому, например, линейно поляризованный свет, падающий иод углом к поверхности, которая обладает способностью поглощать свет или покрыта тонкой инородной пленкой, после отражения становится эллиптически поляризованным. Это происходит изза влияния поверхности на падающий свет за счет таких оптических явлений, как интерференция и дифракция. Если на исследуемой поверхности имеется тонкая пленка, то в отраженном световом пучке будет происходить интерференция лучей, многократно отраженных на двух границах раздела. При этом возникает разность фаз между лучами, отраженными на первой и второй границах раздела.