Влияние облучения на свойства КНИ структур и полевых элементов со встроенным каналом на их основе
- Автор:
Пажин, Дмитрий Михайлович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Нелокальные взаимодействия и коллективные эффекты в системах магнитных нанообъектов | Сапожников, Максим Викторович | 2000 |
| Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции | Шалеев, Михаил Владимирович | 2006 |
| Программно-аппаратный комплекс измерения и идентификации статических параметров схемотехнических моделей мощных полупроводниковых структур | Капралов, Сергей Анатольевич | 2005 |