Автогенераторы на микрополосковых и объемных резонаторах с поликристаллическим ферритовым заполнением и магнитно-режективной перестройкой

• Автор: Антонов, Игорь Николаевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 278 с. : ил.

1.1. Физические аспекты развития функциональной электроники ФЭи

1.2. Прикладные исследования в области создания различных устройств

Глава 2. Распространение упругих волн в плазме полупроводников

2.1. Дифференциальные уравнения, описывающие распространение упругих волн.

2.2. Эффект Ганна

2.3. Эффект Ганна и элементы его феноменологической теории

2.4. Классическая теория динамики домена и отрицательное сопротивление

2.5. Расчет импеданса образца с отрицательной дифференциальной проводимостью для случая периодически изменяющейся концентрации носителей.
2.6. Экспериментальные данные и теоретические оценки по динамике домена в неоднородном образце.

2.7. Основные уравнения динамики доменов в образцах Са Ав с

периодической неоднородностью. Численные расчеты и их анализ.

2.8. Виды неустойчивостей в структурах с ОДП и методы их анализа
2.9. Самомодуляция в эффекте Ганна
Глава 3. Принцип построения основной конструкции твердотельного генератора СВЧ
3.1. Модель генератора СВЧ с распределенными параметрами
3.2. Методика расчета АДГ на основе четырехконтурной эквивалентной схемы.
3.3. Инженерный расчет автогенератора миллиметрового диапазона на диоде Ганна.
3.4. Экспериментальные исследования автогенератора миллиметрового диапазона на диоде Ганна
3.5. Параметрическое возбуждение колебательной системы с электронной перестройкой.
3.6. Автоколебания в отрезке линии с дискретными активными элементами.
Глава 4. Резонансные автоколебательные устройства СВЧ.
4.1. Укороченные уравнения автоколебательной системы.
4.2. Устойчивость стационарных колебаний.
4.3. Установление колебаний в резонансных режимах.
4.4. Укороченные уравнения для неавтономной системы.
4.5. Приближение малой синхронизации
4.6. Шумовая генерации в автогенераторах на диодах Ганна со
статическими доменами сильного поля.
4.7. Две секции автогенератора в прямоугольном волноводе с индуктивными неоднородностями.
Глава 5. Синхронизация генераторов на диодах ганна
5.1. Влияние нагрузки на выходные характеристики синхронизированных генераторов
5.2. Полоса синхронизации СГНН
5.3. Области устойчивости.
5.4. АЧХ СГ с несогласованной нагрузкой.
5.5. Стохастическая синхронизация в электродинамической системе
с диодами Г анна
5.6. Электродинамическая модель четырехдиодного СВЧ генератора.
Глава 6. Поли кристаллические структуры ЖИГ в
автогенераторах СВЧ.
6.1. Экспериментальные исследования
6.1.1. Схема построения экспериментальной установки и е работа .
6.1.2. Методика измерений и обсуждение экспериментальных результатов
6.2. Магнитное управление динамической системой
6.3. Автоколебательные системы с двумя степенями свободы.
6.4. Динамика автогенераторов на диоде Ганна с магнитной перестройкой
6.5. Динамика связанных магнитоуправляемых генераторов при внешнем периодическом воздействии.
6.6. Влияние внешнего периодического воздействия на динамику магнит оунравляемых генераторов.
Глава 7. Преобразование евч колебаний в электродинамических системах с диэлекгриком
7.1. Объемный СВЧ резонатор с диэлектрическим заполнением
7.2. Плотность газа как один из параметров расхода.
7.3. Теоретические основы метода измерения плотности.
7.4. Численные оценки основных эффектов. Требования к основным узлам плотномера
7.4.1. Определение частотного сдвига требования к резонатору.
7.4.2. Генераторы СВЧ
7.5. Ст руктурные схемы плотномера для определения р и рн.
7.5.1. Схема с СВЧ генератором с электронной перестройкой частоты для определения рр.
7.5.2. Схема с непосредственным отсчетом частоты для определения рр и р
7.5.3. Схема с амплитудной модуляцией несущей для определения рр или рн
7.5.4. Схема с частотной модуляцией для определения р.
7.6. Экспериментальное исследование многомодовых резонаторов для целей плотнометрни
7.7. Электроакустический преобразователь на газе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


Таким образом, устройства функциональной электроники на доменной неустойчивости в многодоменном полупроводнике имеют ряд существенных преимуществ перед традиционными интегральными схемами. Необходимо отметить, что ключ к построению приборов функциональной электроники граница раздела. Подход к пониманию строения границ раздела, выяснению основных принципов выстраивания решеток диэлектрика и полупроводника, сделанный на примере рассмотрения модели системы, может быть полезным для анализа других твердотельных систем . Ранее проблема создания границ раздела различных фаз с заданными характеристиками решалась эмпирически с большими экспериментальными затратами. Решение этих проблем позволит вплотную подойти к созданию трехмерных функциональных устройств. На основании вышеизложенного можно предположить, что на первом этапе развития твердотельной функциональной электроники будут использоваться хорошо изученные тонкие пленки диэлектриков, полупроводников, ферритов, ферромагнетиков, некоторых пьезоэлектриков, а также менее изученные пленки сегнетоэлектрических материалов. Итак, основными отличительными признаками устройств функциональной электроники является то, что они строятся на основе принципов физической интеграции, т. Влияние статических неоднородностей требует дополнительных теоретических и экспериментальных исследований. Етаты уточняются. Устройства, разработанные в качестве физической модели, оцениваются на основании экспериментальных исследований. Конструирование среды важнейший аспект проблем, решаемый в рамках функциональной электроники. Из многообразия физических эффектов и явлений в твердых телах нужно, прежде всего, выбирать такие, которые подходят для создания одного физически малого элемента среды. Далее необходимо добиться, чтобы все элементы, образующие среду, были однородны. Ограничения на выбор подходящих эффектов обусловлены следующими требованиями достаточная однородность материала среды, где реализуется эффект, в объемах, необходимых для осуществления интересующих нас процессов разумная величина мощности источника однородной электрической или электромагнитной накачки такие источники наиболее удобны возможность визуализации или регистрации другими способами исследуемых явлений. Следует рассмотреть возможности использования автоволновых сред для решения некоторых задач электроники. ВАХ являются типично автоволновыми. Эффект Ганна в полупроводниках с Мобразной ВАХ применяется для создания усилителей и генераторов СВЧ излучения с частотами до сотен ГГц. С помощью этого эффекта генерируется ультразвук и гиперзвук большей интенсивности. Разработаны элементы памяти и логических систем для ЭВМ, элементы оптоэлектронных устройств. Новые возможности возникают при переходе к двумерным и трехмерным системам, которым в настоящее время начинает уделяться наибольшее внимание. Прогресс в изучении автоволновых процессов в значительной степени был обусловлен развитием математических методов анализа нелинейных волн. Следует отметить, что среди решений дифференциальных уравнений, описывающих целый спектр разнообразных волновых процессов, существует значение, соответствующее солитону уединенной волне, не изменяющей своей скорости и формы по мере перемещения в нелинейной среде с дисперсией. В настоящее время солитон имеет такое же фундаментальное значение, как и линейный осциллятор в классической физике колебаний. Типичным примером солитонов в твердых телах могут служить локальные области сильного электрического поля, при определенных условиях образующиеся и перемещающиеся в полупроводниках эффект Ганна. В нелинейных средах с дисперсией не все уединенные волны обладают свойствами солитонов. Сосуществование нелинейности и дисперсии это признак необходимый, но не достаточный необходима компенсация эффектов нелинейности и дисперсии, т. Известно, что линии передачи электромагнитных волн используются для передачи сигналов на дальние расстояния. Процесс распространения сигналов в простейших линиях описывается телеграфными уравнениями. КортевигадеФриза.