Синтез из расплава тугоплавких неметаллических оксидных материалов на основе Al2 O3 в факеле низкотемпературной плазмы

• Автор: Пучка, Олег Владимирович
• Шифр специальности: 05.17.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Белгород
• Количество страниц: 181 с. : ил.

1.1 Методы синтеза из расплава оксидных тугоплавких материалов

1.1.1 Методы синтеза кристаллов из расплава.

1.1.2 Использование плазмохимических методов для получения тугоплавких стекол и кристаллических материалов

1.2 Плазменное состояние вещества.

1.2.1 Основные свойства и особенности плазмы

1.2.2 Низкотемпературная плазма.Способы и устройства для

ее получения.

1.2.3 Плазмсобразующая среда

1.3 Рост кристаллов из расплавов

1.4 ВЫВОДЫ

ГЛАВА 2. Аппаратура, объекты и методы исследований.

2.1 Методы исследований свойств минералов.
2.2 Методики проведения исследований
2.2.1 Устройство и характеристика установки УПУ3.
2.2.2 Определение аэродинамических параметров плазмотрона.
2.2.3 Расчет основных параметров низкотемпературной плазмы
2.2.4 Исследование температурного поля в потоке плазменной струи.
ГЛАВА 3.Изучение поведения оксидов в факеле плазмы и факторов,
влияющих на проведение синтеза минералов.
3.1 Выбор оксидных материалов для проведения синтеза минералов.
3.2 Характер воздействия аргоновой плазмы на оксидные материалы переменной валентности .
3.3 Расчет термодинамических параметров магнезиальной
шпинели
3.4 Влияние гомогенизации расплава на процесс синтеза минералов.
3.5 ВЫВОДЫ.
Глава 4.Синтез минералов и изучение их структурнофазового
состава
4.1 ВыСор технологических приемов и разработка технологии синтеза.
4.2 Комплексное исследование свойств минералов физикохимическими методами.
4.3 ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 5.Свойства синтезированных минералов и возможные области
их применения
5.1 Физические свойства минералов
5.2 Результаты полупромышленных испытаний и зозможные области применения синтезированных минералов
5.3 ВЫВОДЫ.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
Литература


Это пламя нагревает вершину растущего кристалла и создает на ней расплавленный слой . Подаваемый ма териал плавится уже в пламени или в расплавленном слое, причем выкристаллизовывается количество , соответствующее поступающему материалу, и кристалл продолжает расти в вертикальном направлении . Благодаря прямому наблюдению кристалла можно управлять процессом роста . В промышленности выращивание идет со скоростью примерно 1 смч. Однако способ имеет некоторые недостатки. При высоких температурах обычного кислородноводородного пламени между вершиной кристалла и кристаллодержателем возникает очень большой температурный градиент,который создает в растущем кристалле зысокие напряжения. При более низких температурах пламя неспокойно и его трудно стабилизировать ,так как небольшие изменения состава газа вызывают относительно большие изменения температуры. Так как в способе Вернейля в качестве горючих газов применяют водород и кислород ,то при избытке одного из компонентов возникает соответственно восстановительная или окислительная атмосфераэто сильно ограничивает выбор веществ ,3. Округлые формы роста . Вернейля , связаны по С с направлением температурного перепада на границе твердой и жидкой фаз,теплопроводностью кристалла и вязкостью расплава. Тонкий . Рост происходит в направлении максимального температурного перепада перпендикулярно к основанию кристалла. Таким образом возникает форма буль с округлым поперечником, которая отвечает круговой симметрии пламени. Ме
тод Вернейля широко применяется для выращивания рубина,шпинелей .