Сенсорные устройства с нестехиометрическими электродами на серосодержащие соединения

• Автор: Маханова, Елена Владимировна
• Шифр специальности: 05.17.08, 02.00.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Киров
• Количество страниц: 125 с.

1. Литературный обзор

1.1. Обзор и анализ имеющихся ИСЭ на сульфидионы и датчиков на серосодержащие газы.

1.2. Физикохимические свойства материалов, используемых в качестве измерительных электродов.

1.2.1. Характеристика диаграмм состояния.

1.2.2. Кристаллическая структура, электрофизические и термодина мические свойства используемых систем.

1.3. Дефектная структура монохалькогенидов свинца.

1.4. Влияние характера поверхности измерительных электродов на точность, чувствительность и границы применимости. Механизм процессов, протекающих на трхфазной границе, и его связь с дефектной структурой.
1.4 Л .Влияние характера поверхности измерительных электродов датчиков и ИСЭ на их рабочие характеристики и механизмы процессов, протекающих при анализе.

1.4.2.Механизм процессов, протекающих на трхфазной границе.

1.4.2.1. Электрохимическая реакция на поверхности раздела электролитпроводник первого рода.

1.4.2.2. Электрохимическая реакция на поверхности раздела электролитгаз

1.4.2.3. Электрохимическая реакция на поверхности раздела проводник первого родагаз.
2. Аппаратурное оформление и методика эксперимента.
2.1. Методика приготовления и характеристика используемых препаратов.
2.2. Отжиг и таблетирование образцов. Изготовление ИСЭ и
датчиков на серосодержащие газы
2.3.Электрические схемы и порядок измерения электрических величин.
2.4. Конструкция и принцип действия сенсоров на серосодержащие газы
3.Калибровка и исследование влияния различных факторов на рабочие характеристики тврдоэлектролитных датчиков на сероводород.
3.1. Калибровка тврдоэлектролитного датчика путм изменения состава измерительного электрода при введении сероводорода. 3.1.1.Обсуждение механизма газового анализа в статическом режиме
3.2. Проведение газового анализа в динамическом режиме.
3.2.1. Исследование влияния различных факторов на процесс газового анализа в динамическом режиме.
3.2.2. Проверка селективности датчиков в присутствии различных неиндифферентных газов.
3.2.3.Исследование длительности работы тврдоэлектролитных датчиков.
3.3. Исследование дефектной структуры сульфида свинца в
области с избытком серы.
4. Исследование ИСЭ на сульфидионы.
4.1 .Исследование рабочих характеристик ИСЭ на сульфидионы в водных растворах.
4.2. Исследование рабочих характеристик ИСЭ на сульфидионы в водноэтанольных растворах.
4.3.Определение селективности ИСЭ.
Список литературы


Как видно из иаграммы, медь с серой образуют ряд промежуточных фаз, устойчивых при
азных температурах они описываются формулами Сих8 х1,,0 и СиБ. С устойчивыми являются следующие фазы Си, Си, Си,,1,, и5. Си имеет три модификации орторомбическую а, устойчивую до ,5С, гексагональную р, устойчивую в интервале температур 3,С, и кубическую у, существующую при температурах выше 5С. При емпературе С происходит эвтектоидное превращение, связанное с ереходом гексагональной модификации в орторомбическую рис. При ггой температуре происходит эвтектоидный распад р Си на а Си и ЗиБ. Уменьшение содержания меди в сплавах снижает температуру толиморфного превращения от 3,5 до С. Область гомогенности на эснове а Си расширяется с увеличением температуры, достигая состава 2и, при С. Гексагональная модификация существует как тврдый эаствор в пределах составов от Си при 3,5С до Си, при С. При повышении температуры область гомогенности на основе р Си окращается и при 0 С приближается к Си. При температуре 5 С РСи переходит в высокотемпературную кубическую форму у Си. Область гомогенности, расположенная при С между составами Си,8Си,,7бб8 интервал концентраций , , ат. Си, при С и переходит в высокотемпературную кубическую форму у. Температура перехода изменяется от С при составе Си,. С при составе Си 1 При более высоких температурах область гомогенности ещ более расширяется, достигая состава Си при 5 С температуре превращения р Си в у Си2Б. Высокотемпературную кубическую модификацию у Си2Б, как и гексагональную р, при комнатной температуре получить закалкой не удатся. Фаза, имеющая состав Сщ, устойчива ниже температуры С .