Влияние формы поляризующего тока и напряжения на процесс формирования покрытий на сплаве В-95 методом микроплазменного оксидирования

• Автор: Булдыгин, Антон Викторович
• Шифр специальности: 05.17.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 155 с. : ил.

1.1. Классификация микроплазменных способов нанесения оксидных покрытий в водных растворах электролитов.

1.2. Формирование анодных оксидных покрытий на вентильных металлах

1.2.1. Анодное оксидирование алюминия и алюминиевых сплавов.

1.2.2. Закономерности пробоя анодных пленок и протекания разряда.

1.3. Образование микроплазменных оксидных покрытий из водных растворов электролитов .
1.3.1. Протекание плазмохимических и термохимических превращений при микроплазменном оксидировании
1.3.2. Участие компонентов электролитов в формировании микроплазменных оксидных покрытий

1.3.3. Осуществление тепло и массопереноса в зону и из зоны разряда.

1.4. Электрические режимы формирования микроплазменных покрытий

1.5. Структура, состав и свойства покрытий, формируемых микро плазменными методами.

1.6. Анализ литературных данных и постановка задачи исследования.

2. МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1 Материалы исследований
Использованные электролиты.
1.3. Экспериментальная установка т.
2.4. Методы исследования свойств покрытий
2.4.1. Изхмерение толщины пленки.
2.4.2. Измерение микротвердости
2.4.3. Определение химической стойкости покрытий.
2.4.4. Определение объемной пористости покрытий
2.4.5. Исследование распределения сквозной пористости в покрытии.
2.4.6. Исследование структуры поверхности
2.5. Методика обработки экспериментальных данных.
3. ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ АНОДНОГО СИГНАЛА С ИЗНАЧАЛЬНО ЗАДАННЫМ МАКСИМАЛЬНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА МИКРОПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ
З Л Изменение характеристик формирования при оксидировании в переменнополярном АИПП режиме с анодными импульсами
3.2 Влияние оксидирования в переменнополярном АИПП режиме с анодными импульсами на свойства формируемых покрытий.
4. ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ ПОЛЯРИЗУЮЩЕГО СИГНАЛА С ОТКЛЮЧЕНИЕМ АНОДНОГО ТОКА ПОСЛЕ ДОСТИЖЕНИЯ МАКСИМАЛЬНОЙ АМПЛИТУДЫ ТОКА ОПДМ РЕЖИМ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА МИКРОПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ.
4.1 Изменение характеристик формирования при оксидировании в ОПДМ режиме
4.2 Влияние оксидирования в ОПДМ режиме на свойства формируемых покрытий
5. ВЛИЯНИЕ ПОЛЯРИЗАЦИИ СЕРИЕЙ ИМПУЛЬСОВ, НАЛОЖЕННЫХ НА АНОДНУЮ СОСТАВЛЯЮЩУЮ В ПЕРЕМЕННОПОЛЯРНОМ РЕЖИМЕ СИПЛ РЕЖИМ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА МИКРОПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ .
5.1 Изменение характеристик формирования при микроплазменном оксидировании в СИПП режиме
5.2 Влияние микроплазменного оксидирования в режиме при наложении серии импульсов на анодную составляющую переменнополярного сигнала СИПП режим на свойства формируемых покрытий
6. ВЛИЯНИЕ ФОРМЫ КАТОДНОГО СИГНАЛА С ИЗНАЧАЛЬНО ЗАДАВАЕМЫМ МАКСИМАЛЬНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ НА ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА МИКРОПЛАЗМЕННЫХ ПОКРЫТИЙ
6.1 Изменение характеристик формирования при наложении катодных импульсов в
переменнополярном КИПП режиме.4
6.2 Влияние оксидирования с катодными импульсами в переменнополярном КИПП режиме на свойства формируемых покрытии.
ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА


Влияние оксидирования с катодными импульсами в переменнополярном КИПП режиме на свойства формируемых покрытии. ВЫВОДЫ. Рис. Модель анодноискрового процесса Формовочная кривая
пробоем. Четвертые , полагают, что в процессе МДО все
механизмы пробоя имеют место. Согласно представлениям физики полупроводников при достижении напряжения пробоя могут осуществляться четыре основных типа пробоя лавинный, тепловой, тунельный и поверхностный рис. Тепловой пробой обусловлен тем, что при протекании тока утечки через диэлектрический слой выделяется достаточно большое количество тепла, чтоприводит к увеличению электрического тока и затем к еще большему разогреву. Теория теплового пробоя устанавливает зависимость между приложенным напряжением и временем развития пробоя . В случае если , то происходит интенсивный разогрев слоя, покрытым приблизительно равномерно по всей толщине с увеличивающейся скоростью. Авторы механизмов теплового пробоя слоя диэлектрика считают, что при возникновении искрового разряда отсутствует явление электронного пробоя покрытия. Вместе с тем известный факт, что напряжение искрения практически не зависит от плотности поляризующего тока, а также от прерывания процесса оксидирования , позволяет предположить, что причина пробоя связана не только с термическими эффектами, но определяется также явлениями электрического пробоя. Лавинный пробой диэлектрического слоя вызывается инжекцией электронов из электролита в пленку. Энергия отрыва электрона от ОНиона составляет величину 2. В, а ширина запрещенной зоны I равна 2. В .