Технико-экономическое исследование процессов получения особо чистых продуктов на установках разделения воздуха

• Автор: Матвеев, Сергей Александрович
• Шифр специальности: 05.14.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Балашиха
• Количество страниц: 149 с. : ил.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ . ВВЕДЕНИЕ . Глава 1. Классификация веществ по степени их чистоты. Особо чистые продукты. Основные ограничения на пути глубокой очистки веществ. Принцип недостижимости абсолютной чистоты . КПД процессов глубокой очистки веществ . Глава 2. Глава 3. Расчет приведенной эксергии особо чистого продукта при его получении на установке разделения воздуха. Оценка диапазона предельных возможностей действующих установок разделения воздуха при дополнительном получении на них особо чистых продуктов. Глава 4. Основные положения методики эксергетического анализа узла разделения блока получения особо чистых продуктов . Глава 5. Расчет массы конденсатора испарителя . Результаты техникоэкономического анализа создания блоков получения особо чистых азота, аргона и кислорода
щества к категории предельно разбавленных растворов. При такой классификации появляется новый тип веществ сверхчистые вещества, поведение примесей в которых уже не может быть описано при помощи законов химической термодинамики.

Как показала практика, для классификации гораздо продуктив

нее оказалось введение представления о целевой чистоте, выраженное понятием о продуктах веществах особой чистоты 3, когда в получаемых веществах нормируется не вся сумма примесей, а лишь отдельные из них, в наибольшей степени влияющие на качество продуктов. Это утверждение можно убедительно проиллюстрировать на следующих примерах. Известно, что вклад различных индивидуальных примесей в изменение электрофизических свойств полупроводниковых веществ может отличаться на много порядков. Особенно сильное влияние оказывают так называемые электрически активные примеси, являющиеся в полупроводниках донорами и акцепторами электронов 7. Существенное различие вклада отдельных примесей, называемых лимитируемыми, в свойства матрицы наблюдается также для материалов, используемых в оптоэлектронике 8,9. Так, стеклообразный диоксид кремния высокой чистоты имеет очень низкое собственное поглощение и суммарные потери света порядка 0,2 дБкм при длине волны нм 7. Наличие таких примесей, как фосфор, германий и бор в виде их высших оксидов Р5, , В2О3 практически не изменяет спектральных характеристик стекла на основе i. Мало того, эти оксиды сами входят в качестве основных компонентов в рецептуру некоторых силикатных стекол, используемых в волоконной оптике. В тоже время многие тяжелые переходные металлы и медь образуют в силикатных стеклах группу так называемых красящих примесей с исключительно высокими коэффициентами поглощения в рабочей области длин волн 0 нм. Еще один яркий пример, демонстрирующий понятие целевой чистоты, можно привести из ядерной технологии.