Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного полупроводника : на примере кремния a-Si
- Автор:
Голоденко, Александр Борисович
- Шифр специальности:
05.13.18
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
200 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Математическая модель двухуровневого управления ресурсами в операционных системах с закрытыми исходными кодами | Луковников, Иван Васильевич | 2006 |
| Метод численного определения осредненных характеристик композитов на основе вейвлет-преобразования и метода конечных элементов | Сагдеева, Юлия Альбертовна | 2007 |
| Алгоритмы решения задачи составления оптимального расписания без прерываний | Красовский, Дмитрий Владимирович | 2007 |