Математическое и программное обеспечение подсистемы тестирования аналоговых и смешанных интегральных схем

• Автор: Рудаков, Олег Владимирович
• Шифр специальности: 05.13.12
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Владимир
• Количество страниц: 165 с.

1.1. Дефекты и их влияние на работу ИМС.

1.2. Состояние в области тестирования цифровых ИМС.

1.3. Состояние в области тестирования смешанных ИМС.

1.4. Состояние в области программного обеспечения подсистем тестирования ИМС

1.5. Цель и постановка задач исследования.

1.6. Выводы.

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ

ПОДСИСТЕМЫ ТЕСТИРОВАНИЯ СМЕШАННЫХ ИМС

2.1. Подход к расчету частот тестового сигнала на основе

анализа чувствительности параметров схемы

2.2. Методика формирования компактного тестового набора

2.3. Методика минимизации структуры справочникаклассификатора выходных откликов схемы.
2.4. Выводы.
ГЛАВАЗ. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ
ПОДСИСТЕМЫ ТЕСТИРОВАНИЯ.
3.1. Разработка программного обеспечения подсистемы САПР тестирования.
3.2. Разработка модулей расчета тестовых воздействий.
3.3. Алгоритм формирования справочникаклассификатора выходных откликов тестируемой схемы.
3.4. Алгоритм минимизации структуры справочникаклассификатора выходных откликов тестируемой схемы.
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОДСИСТЕМЫ САПР
ТЕСТИРОВАНИЯ И РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА.
4.1. Расчет тестовых воздействий и формирование справочникаклассификатора на примере полосового фильтра.
4.2. Тестирование множественных неисправностей на примере двустабильного фильтра.
4.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА


При производстве ИМС это ведет к неравномерности нанесения слоев металла на поверхность кремниевой пластины. С точки зрения влияния на поведение электронной схемы, отклонения в технологическом процессе подразделяются на две категории локальные и глобальные. Глобальные отклонения подразумевают систематические изменения электрических параметров компонентов ИМС, например, пороговые на
ш
Рис. Неисправность МОПтранзистора а катастрофический дефект, б параметрический дефект. Локальные отклонения описывают небольшие случайные различия в физически сопряженных компонентах. В любой ИМС не существует двух абсолютно одинаковых компонентов, т. Локальные вариации параметров присутствуют в кристалле всегда. Это обстоятельство является одним из фундаментальных ограничений производительности аналоговых схем и основной причиной сложности проведения исчерпывающего тестирования смешанных ИМС. В табл. ИМС, включающие как абсолютные значения, так и допустимые вариации двух аналогичных параметров. Влияние производственных дефектов на поведение ИМС можно показать на примере КМОПинвертора рис. МОП и рМОП транзисторы имеют коэффициенты передачи по току кп и кр соответственно. Передаточная характеристика по постоянному току представлена на рис. При воздействии на инвертор импульса выходной отклик будет иметь вид, представленный на рис. Передаточная характеристика зависит от отношения коэффициентов кпи кр, но не от одного из них по отдельности . В случае, если транзисторы физически сходны, то токи, протекающие через них, будут различаться несущественно. При этом функция всего устройства не изменится.