Повышение эффективности автоматизированного управления процессами направленной кристаллизации на основе метода кольцевых сечений

• Автор: Семенова, Юлия Валентиновна
• Шифр специальности: 05.13.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Рыбинск
• Количество страниц: 142 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.

1 Основы технологии производства кристаллов

1.1 Информационно патентный поиск.

1.2 Методы выращивания монокристаллов

1.2.1 Выращивание из паров

1.2.2 Выращивание из растворов

1.2.3 Выращивание из расплавов

1.3 Описание основных установок для изготовления монокристаллов.

1.3.1 Установка периодического действия 1ИСВ0,НФ

1.3.2 Установка для направленной кристаллизации проходного типа ПМП2.

1.3.3 Установка для высокоскоростной направленной кристаллизации УВИК8П.
1.4 Прецизионные регуляторы температуры
1.5 Выводы по главе
2 Методы измерения действующего значения полигармонических сигналов
2.1 Геометрическая интерпретация.
2.2 Метод трубчатых сечений МТС
2.3 Метод наклонных трубчатых сечений МНТС.
2.4 Метод кольцевых сечений МКС
2.5 Метод наклонных кольцевых сечений МНКС.
2.6 Вычисление действующего значения полигармонического напряжения.
2.7 Выводы по главе
3 Оценка точностных характеристик метода кольцевых сечений
3.1 Алгоритм исследования точности измерения действующего значения
3.2 Помехоустойчивость метода кольцевых сечений
3.2.1 Исследование сетевого напряжения при воздействии помехи
3.2.2 Вектор плотности вероятностей распределения сетевого напряжения.
3.2.3 Вероятности переходов.
3.3 Выводы по главе
4 Разработка имитационных моделей измерителя и макетирование.
4.1 Основные соотношения для метода кольцевых сечений
4.2 Имитационная модель измерителя действующего значения напряжения.
4.3 Анализ модели измерителя действующего значения напряжения при синусоидальной форме входного сигнала
4.3.1 Анализ изменения величины амплитуды напряжения
4.3.2 Анализ изменения частоты генератора тактовых импульсов
4.3.3 Влияние количества хорд на погрешность измерений
4.4 Анализ модели измерителя действующего значения при несинусоидальной форме входного сигнала
4.4.1 Анализ изменения величины амплитуды напряжения
4.4.2 Анализ изменения частоты генератора тактовых импульсов
4.4.3 Влияние количества хорд на погрешность измерений
4.5 Имитационная модель измерителя среднего значения мощности
4.5.1 Выбор термодатчика.
4.5.2 Выбор измерителя действующего значения напряжения
4.5.3 Анализ измерителя среднего значения мощности.
4.5.3.1 Анализ измерителя среднего значения мощности при температуре, не изменяющейся за период измерения
4.5.3.2 Анализ измерителя среднего значения мощности при температуре, линейноизменяющейся за период измерения.
4.6 Техническая реализация.
4.7 Выводы по главе Заключение
Список использованных источников


Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулированы цели работы, основные задачи и методы исследования, охарактеризована научная новизна и практическая ценность полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту, кратко изложено содержание работы. В первой главе представлены результаты патентно-информационного поиска, рассмотрены методы выращивания монокристаллов из паров, растворов и расплавов. Дано описание основных установок для изготовления монокристаллов, а также рассмотрены прецизионные регуляторы температуры. Во второй главе представлена классификация методов преобразования интегральных параметров полигармонических процессов, дан сравнительный анализ методов определения интегральных параметров, по преимуществам методов и их недостаткам выбран наиболее оптимальный из них. Третья глава посвящена исследованию точностных характеристик метода кольцевых сечений, построению структурной схемы измерителя действующего значения напряжения и анализу помехоустойчивости метода кольцевых сечений. В четвертой главе разработаны и представлены имитационные модели измерителя действующего значения напряжения и измерителя среднего значения мощности. Проведен анализ измерителей при изменении интегральных параметров. Представлена структурная схема регулятора температуры, в состав которой входит измеритель действующего значения напряжения. В заключении приведены основные выводы и результаты работы. По российской базе данных изобретений был проведен патентноинформационный поиск преобразователей интегральных параметров (с г. Международного патентного классификатора (МПК): в Г 1/, 1/, 1/- 1/, 1/, 1/; С И. О 1/; и по ключевым словам: «быстродействующие преобразователи интегральных параметров, измерители переменного напряжения». В результате проделанной работы были выявлены следующие патенты РФ на изобретения: А. Данные преобразователи включают в себя быстродействующие измерители амплитуды, отражающие все существующие методы измерения амплитуды, которые наиболее часто используются. Также был проведен патентно-информационный поиск регуляторов, в состав которых могут входить измерители напряжения. И / Тюник Ю. П., Ликевич С. М., Монастырный А. М. «Электронный регулятор температуры». Э /, Б N 5/ БХАТНАГАР Р. Варма Т. Л. «Устройство управления электронного цифрового термостата и электронное устройство многопозиционного регулирования температуры». О / Анохин М. Н., Рабочий А. А., Прасов М. Т. «Устройство регулирования температуры». NTPO. Торговый дом АВТОМАТИКА Измерители параметров безопасности электроустановок зданий ЭК Диапазон измерения действующего значения напряжения от до 0 В; частоты сети от до Гц; погрешность ±% Измерение параметров электрической сети и тока короткого замыкания, параметров защитного отключения и т. Приборы для измерения электроэнергетических величин и показателей качества электрической энергии Измерение показателей качества электрической энергии; действующих значений напряжений и токов при синусоидальной и искаженной формах кривых; активной, реактивной и полной мощности и энергии и т. Лаборатория независимых исследований Преобразователь напряжения (ПН - ) Напряжение питания ,6 В, ток х. По результатам, полученным при проведении информационнопатентного поиска, можно сделать вывод о необходимости создания технологического оборудования с более высокими точностными характеристиками, учитывающими нестабильности сети и помехи. Методы выращивания кристаллов чрезвычайно многочисленны и разнообразны. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов, твердой фазы и многими специальными способами, как, например, синтез путем химических реакций, синтез при высоких давлениях, электролитическая кристаллизация, кристаллизация из гелей и др. Применяется в основном для получения эпитаксиальных пленок и нитевидных кристаллов. Из газовой фазы можно растить кристаллы весьма совершенные, правильно ограненные, но относительно небольшие. Методы сублимации, т.