Исследование взаимосвязанности в многомерных системах управления с дискретным временем

• Автор: Ойт, Моника Эдгаровна
• Шифр специальности: 05.13.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Таллин
• Количество страниц: 161 c. : ил

Глава 1. Анализ факторов, определяющих к. Глава 2. Исследование свойств аморфного кремния и сплавов на его основе, полученных в плазме НЧ тлеющего разряда. Исследование оптических и электрофизических свойств нелегированных пленок аБШ, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Выбор оптимальных технологических режимов Выбор оптимальной мощности разряда. Электрофизические и оптические свойства и структурные особенности пленок аморфного кремния Выбор оптимальной температуры осаждения. Электрофизические и оптические свойства и структурные особенности пленок аморфного кремния Светоиндуцированная метастабильность в аБкН, полученном методом НЧ тлеющего разряда Исследование оптических и электрофизических свойств пленок а5кН и аБЮН ртипа, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Исследование оптических и электрофизических свойств пленок а8кН птипа, полученных в плазме НЧ кГц тлеющего разряда. Выбор оптимальных технологических режимов Выводы
и кристаллического кремния. В кристаллическом кремнии коэффициент поглощения а определяется непрямыми переходами , поэтому он относительно невелик при энергиях, превышающих ширину запрещенной зоны 1,1 эВ.


Она может быть определена экспериментально и для аморфного кремния ее значение минимально по сравнению со всеми другими рассматриваемыми фотоэлектрическими материалами. Отношение толщин активных слоев аморфного и монокристаллического кремниевых солнечных элементов составляет менее 0 3 . За последнее десятилетие производство электроэнергии за счет фотоэлектрического преобразования солнечной излучения возросло и в г. Основной причиной, сдерживающей широкое
1
Рис. Спектральная зависимость коэффициента поглощения а кристаллического кремния сБ1 и нелегированного аБкН, полученного в разряде на постоянном токе при 0 С 0,7. Анализ стоимости модулей солнечных элементов показал , что при создании модуля из монокристалличсских кремниевых солнечных элементов относительная стоимость полупроводникового материала составляет около общей стоимости модуля и возрастает в еще большей степени при использовании в элементах перспективных, по более дорогостоящих материалов, таких, как ОаАэ, 1пР и СсГП. В то же время доля полупроводникового материала в стоимости аморфных кремниевых солнечных элементов с рьп структурой не превышает . Такая относительно низкая стоимость применяемого материала объясняется тем, что элементы с приемлемыми характеристиками могут быть изготовлены на основе очень тонких пленок аморфного кремния толщиной до 1 мкм, осаждение которых осуществляется непосредственно из материала исходного сырья моносилана без промежуточных процессов его превращения в слитки или порошкообразный кремний.