Межслойное магнитное взаимодействие в многослойных системах Fe/Cr/Fe

• Автор: Холин, Дмитрий Игоревич
• Шифр специальности: 01.04.09, 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 78 с. : ил.

1.1. Устройство образцов, общие представления об изучаемой системе

1.2. Основные принципы выращивания многослойных магнитных структур методом

молекулярнолучевой эпитаксии

1.3. История вопроса

Глава 2. Исследование сверхрсшсток РеСНу методом ферромагнитного резонанса .

2.1. Устройство образцов, общие представления об изучаемой системе

2.2. Экспериментальные результаты.

2.3. Анализ экспериментальных результатов.

2.3.1. Аналитический анализ кривых намагничивания и спектров

2.3.2. Численный расчет статических и динамических свойств свсрхрсшстки

с конечным количеством слоев

2.4. Выводы
Глава 3. Исследования межсловного обмена в трехслойных образцах еСгс с прослойкой
в форме клина при комнатной температуре
3.1. Методика получения образцов
3.2. Методика измерений.
3.2.1 Измерение кривых намагничивания образцов при комнатной температуре с
помощью меридионального эффекта Керра.
3.2.2. Измерение спектров спиновых волн методом мандельштамбриллюэновского рассеяния света.
3.3. Экспериментальные результаты.
3.4. Численный расчет кривых намагничивания и спектров МБРС трехслойных образцов
3.4.1. Методика расчета с учетом деформации магнитной структуры ферромагнитных слоев в приложенном магнитном поле.
3.4.2. Результаты численных расчетов
3.5. Анализ экспериментальных результатов.
3.6 Сопоставление магнитометрических данных с данными туннельной микроскопии
3.7 Выводы.
Глава 4. Исследование зависимости мсжслойного обмена ОТ температуры .
4.1. Введение
4.2. Методика измерений
4.3. Экспериментальные результаты.
4.4. Температурная зависимость билинейного обмена.
4.5. Температурная зависимость биквадратичного обмена.
4.6. Выводы
Заключение
Приложение расчет частоты спиновых волн в трехслойной структуре ГеСгГе
с учетом неоднородной намагниченности железных слоев
Список литературы


Метод МБЭ позволяет получать образцы наивысшего качества с точки зрения гладкости границ раздела слоев и кристаллографического совершенства получающихся пленок, поэтому именно этот метод использовался нами в данной работе. Поскольку вопросы технологии носят принципиально важное значение в исследовании многослойных магнитных структур, в следующем параграфе будут описаны основы метода молекулярнолучевой эпитаксии. Методика МБЭ позволяет получать пленки, являющиеся, с кристаллографической точки зрения, хорошими монокристаллами. Она основана на медленном напылении вещества на подложку в условиях сверхвысокого вакуума. Давление остаточного газа составляет при этом от 8 до мбар. Осаждаемое вещество испаряется из тигля на расстоянии порядка нескольких десятков сантиметров от подложки. Отдельные атомы вещества с тепловой скоростью летят на подложку и осаждаются на ней. Характерная скорость напыления образцов составляет от 0. Ас. Благодаря поверхностной диффузии атомов при определенных условиях удается достичь послойного, так называемого эпитаксиального роста пленки, когда атомные слои заполняются один за другим. Такой режим роста позволяет получать пленки с чрезвычайно гладкими поверхностями, размеры атомногладких участков на которых достигают сотен нанометров . Важным вопросом при выращивании образцов является кристаллографическое совершенство получающихся структур. Для этого материалы подложки и напыляемых на нее материалов подбирают так, чтобы их кристаллические структуры соответствовали друг другу без значительных деформаций решетки. Болсс подробно вопрос соответствия решеток обсуждается в 3.