Пространственные и временные характеристики плазмы электроотрицательных газов

• Автор: Богданов, Евгений Анатольевич
• Шифр специальности: 01.04.08, 01.04.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 168 с. : ил

1.1. Обзор литературы.

1.2. Элементарные процессы, происходящие в тлеющем разряде в кислороде.

1.3. Система уравнений баланса, постановка и вывод граничных условий.

1.4. Методы решения

1.5. Искажения при зондовых измерениях в электроотрицательных газах.

Глава 2. Параметры плазмы стационарного разряда в электроотрицательных газах.

2.1. Особенности пространственного распределения параметров стационарной разрядной плазмы в электроотрицательных газах.
2.2. Правила подобия для плазмы стационарного положительного столба разряда в электроотрицательных газах.
2.3. Сопоставление кинетического и гидродинамического подходов при моделировании плазмы положительного столба кислородного ОС разряда.
Глава 3. Пространственные и временные характеристики эволюции параметров распадающейся плазмы электроотрицательных газов.
3.1. Эволюция профилей концентраций и потоков заряженных частиц при распаде плазмы электроотрицательных газов.
3.2. Диффузионный распад электроотрицательной плазмы при низких давлениях.
3.3. Влияние отлипания на диффузионный распад электроотрицательной плазмы низких давлений.
3.4. Динамика образования ионионной плазмы при импульсном режиме работы реакторов для плазменного травления.
Глава 4. Влияние пылевых частиц на функцию распределения электронов.
4.1. Основные скейлинги законы подобия для параметров пылевой плазмы.
4.2. Основные особенности формирования ФРЭЭ в газоразрядной плазме низкого давления.
4.3. Методы решения кинетического уравнения.
4.4. Влияние пылевых частиц на функцию распределения электронов.
Выводы.
Цитированная литература.
ВВЕДЕНИЕ.
Актуальность


Отрицательные ионы характеризуются энергией сродства, т. Прилипание электронов к частицам газа является важным механизмом гибели электронов в ЭОГ. Оно затрудняет пробой, прохождение тока и т. Наиболее простой способ образования отрицательного иона состоит в непосредственном захвате свободного электрона полем нейтральной частицы. Если до соударения кинетическая энергия электрона Е, а энергия сродства данной частицы Еа, то излишек энергии квантовой системы должен быть както отобран от образовавшегося отрицательного нона 1. В случае простых частиц эта энергия может быть унесена путем излучения фотона фотоприлипание 1, передана третьему телу, участвующему в образовании иона в случае сложной частицы молекулы, эта энергия может перераспределяется по колебательным степеням свободы. Сечение этого процесса с максимумом в районе бэв составляет т си2 1. Высокое значение энергии необходимое для прохождения данной реакции связано с большим значением энергии диссоциации 5. При повышении температуры газа порог реакции 1. Это объясняется включением в реакцию колебательно возбужденных молекул, энергия которых также расходуется на прилипание. Фотоприлипание имеет достаточно малое сечение а, а2 3, и в наших условиях этим процессом можно пренебречь. О2 1. Н2 с1. Сечение этого процесса по порядку величины сравнимо с сечением диссоциативного прилипания 1, но имеет большой порог эв. Константа этого процесса линейно зависит от энергии электронов 1. Каждому из процессов образования огрицатсльных ионов соответствует обратная реакция разрушения.