Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства

• Автор: Варнаков, Сергей Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.01, 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 114 с. : ил.

1.1 Классификация полупроводниковых гстсроструктур и магнитных наноструктур

1.2 Структуры полупроводникферромагнетик

1.3 Сверхвысоковакуумные технологии тонких пленок и наноструктур

1.4 Постановка задачи

ГЛАВА 2. МОДЕРНИЗАЦИЯ И АВТОМАТИЗАЦИЯ

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА МОЛЕКУЛЯРНО

ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ АНГАРА

2.1 Разработка блока контроля параметров технологического комплекса МЛЭ Ангара

2.2 Разработка блока управления испарителями

2.3 Внедрение эллиисомстра ЛЭФ1М, для i i контроля оптических параметров структуры

2.4 Модернизация встроенного аналитического оборудования

2.4.1 Разработка и внедрение системы регистрации и обработки дифрактометрической информации
2.4.2 Внедрение система ввода и вывода аналоговых сигналов АС для вывода поступающих данных с ожсспсктромстра ИОС3 и массспектрометра МХ на компьютер
2.5 Выводы к Главе
ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЯ ВОСПРОИЗВОДИМОГО ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОСЛОЙНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ И i
3.1 Технология однослойных и многослойных наноструктур, с
заданными параметрами
3.2 Определение толщины слоев и i i i методом лазерной
эллиисометрии
3.3 Определение i i элементного и химического состава
систем на основе и i методами ЭОС и СХПЭЭ
3.4 Определение структуры слоев и интерфейса систем i x
i методом малоуглового рентгеновского рассеяния
3.5 Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. МАГНИТНЫЕ И МАГ1ИТОРЕЗИСТИВИЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ И i
4.1. Фундаментальные магнитные параметры исследуемых
систем на основе и i
4.2. Резонансные исследования пленок системы
4.3. Магниторезистивный эффект структуры пленка на
монокристалличсской подложке манганита ЕиолРЬодМпОз
4.4 Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ


Содержание работы изложено на 1 страницах машинописного текста, включая рисунка, таблиц и списка литературы из 0 наименований. ГЛЛВЛ 1. Классификация полупроводниковых гстсроструктур и магнитных наноструктур. Электронное приборостроение последней четверти минувшего столетия ознаменовалось крупными достижениями твердотельной физической науки в области создания микросхем на базе многослойных гстероструктур металлполупроводник. Практическая значимость этих материалов для электроники и оптоэлсктронпки связана с быстродействием и снижением энергетических потерь, что обусловлено небольшими размерами компонент устройств на этих структурах. Ожидаемый дальнейший скачок в развитии элементной базы микроэлектроники связывается с освоением нанотехнологий, когда размеры активных областей электронных структур окажутся менее 0 нм и будут сравнимы с длиной волны де Бройля электрона и длиной его свободного пробега 1. При этом окажутся одного порядка и радиус экранирования носителя заряда, и длина когерентности спаривания куперовской пары в сверхпроводниках. В этих случаях определяющую роль начинают играть сугубо квантовые явления. Поэтому уже сейчас появился термин квантовая электроника, и его содержательная часть основана на одноэлсктронных эффектах в твердых телах 2. Так, в вычислительной технике одно электроника призвана реализовать идею один электрон один бит информации, являющуюся последней ступенью развития электроники дня цифровых схем, поскольку невозможно хранить менее одного электрона в элементе памяти. Как известно, электрон но отношению к внешнему магнитному нолю обладает двумя возможными пространственными ориентациями своего магнитного момента спина но нолю условно спин вверх и против ноля спин вниз . Поэтому реализация принципа квантовой магнитной записи один спин один бит информации и появление спиновой информатики оказывается не только предельно допустимой для магнитного принципа записи информации, но и служит достижению миниатюризации электронных схем с одновременно повышенной информационной плотностью операционных логических систем. До сих пор в практике плотность записи информации на жестких и мягких магнитных носителях ограничена размерами единичных магнитных доменов, что не идет ни в какие сравнения с размерами квантовых точек, какими по существу являются спины электрона. Обычно понятие гстсроструктура означает группу контактов из двух или более объемных полупроводниковых кристаллов, имеющих на своих границах электрические металлические контакты. Подобные же контактные структуры, но полученные методами тонкопленочного напыления на изоляционную или металлическую подложку, названы мультислойными гетероструктурами, или просто мультислоями. Полупроводниковые свсрхрешстки и магнитные мультислои имеют характерные размеры слоев 10 нм и относятся к наноструктурами. Кроме полупроводниковых сверхрешсток и магнитных мультнелоев к наноструктурам можно отнести и ряд других материалов фуллерсны, пористые кремниевые трубки, некоторые биологические объекты. Кратко рассмотрим каждый вид из наноструктурных материалов. Согласно схеме, приведенной на рис. Рис. Классификация наноструктурных материалов а наночастицы и микрокластеры бмультислойные структуры и ультратонкие пленки в напопокрытия, верхние слои г нанофазные материалы. В литературе установилось общее название для структур этой группы нанокристаллические материалы НКМ. Таким образом, в общем виде нанокристаллические материалы существуют в двух разновидностях. Это отдельные наночастицы или микрокластеры и наночастицы, собранные в твердое тело за счет компактирования или конденсирования в конгломераты или нанесенные в виде пленки на подложку. Группа материалов, в которую входят мультислойные структуры и ультратонкие пленки, толщина которых не более 0 Л, имеют название наноструктуированные материалы. Свойства ультратонких пленок и мультислоев, сильно зависят от толщины. Нанопокрытия ультрадисперсные покрытия можно рассматривать как очень тонкие нанофазные материалы с ультрадисперсной микрострукту рой, нанесенные на обрабатываемые поверхности.