Формирование сферы электронных услуг в России

• Автор: Вишнякова, Светлана Сергеевна
• Шифр специальности: 08.00.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 187 с. : ил.

Содержание работы

Введение

Глава 1. Точечные дефекты в кремнии

1.1.рецинитация кислорода в кремнии и сопутствующие ей

дефекты

1.2. Кислород в процессе внутреннего геттерирования

1.3. Точечные дефекты в имплантированном кремнии

1.4. Дивакансии в кремнии Глава 2. Процессы переноса заряда поверхностнобарьерных диодов на

основе кремния

2.1. Технология изготовления поверхностнобарьерных диодов

2.2. Анализ механизма протекания тока в контактах металл

полупроводник.
2.2.1. Экспериментальная установка для метода вольтамперных
характеристик
2.2.2 Проверка механизма токопрохождения в барьерах Шоттки
2.3. Анализ вольтфарадных характеристик барьеров Шоттки
2.3.1. Оценка толщины окисного слоя и погрешности в измерениях емкости
2.3.2. Экспериментальная установка для метода вольтфарадных характеристик и определение параметров диодов
Выводы к главе 2
Глава 3. Преципитация кислорода в кремнии
3.1. Влияние технологического отжига на электрические характеристики диодов Шоттки
3.2. Исследование влияния преципитации кислорода на
дефектообразовнис в кремнии методом ТСЕ
3.2.1. Методика эксперимента по термостимулированной емкости.
3.2.2. Погрешности, возникающие при определении параметров ГЦ методом ТСЕ.
3.2.3. Установка для эксперимента по ТСЕ
3.2.4. Результаты измерений по ТСЕ и их обсуждение
Выводы к главе 3 .
Глава 4 Исследование кремния, имплантированного ионами углерода
4.1.Фотопроводимость кремния, имплантированного ионами углерода
4.1.1. Время затухания фотопроводимости
4.1.2. Влияние центров прилипания и рекомбинации на время жизни носителей
4.1.3. Затухание фотопроводимости в тонких пленках
4.1.4 Изготовление электрических контактов к образцам
4.1.5 Экспериментальная установка для измерения фотопроводимости
4.1.6 Методика определения времени затухания фотопроводимости
4.2. Исследование кремния, имплантированного ионами углерода методом ТСЕ.
Выводы к главе 4
Выводы к диссертации
Список научных трудов автора
Список использованной литературы