Исследование экологической обстановки биосферы сельскохозяйственных районов Зейско-Буреинской равнины по содержанию в ней тяжелых металлов и радионуклидов

• Автор: Горбунова, Людмила Николаевна
• Шифр специальности: 03.00.16
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Великий Новгород
• Количество страниц: 111 с.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. Теоретические модели адмиттанса поверхностных состояний и метод МОП адмиттанса для исследования межфазных границ раздела с неоднородно распределнными параметрами.
1.1. Основные теоретические модели адмиттанса поверхностных состояний и модификации метода МОП адмиттанса.

1.2. Туннельнофлуктуационная модель адмиттанса поверхностных состояний.

1.2.1. Однородное пространственное распределение ловушек в диэлектрике

1.2.2. Экспоненциальное распределение ловушек в диэлектрике

1.3. Метод адмиттанса для исследования поверхностных состояний с учтом туннельных и флуктуационных эффектов

1.3.1. Равномерное распределение ловушек.

1.3.2. Экспоненциальное распределение ловушек

1.4. Одночастотные экспрессметодики определения поверхностных параметров МДПструктур.
1.4.1. Планарнонеоднородные структуры.
1.4.2. Структуры с ловушками, заглубленными в диэлектрик.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 2. Физические модели и методы исследования МДПструктур с
неоднородно распределнными параметрами слоев
2.1. Электрофизические методы исследования МДПструктур.
2.1.1. Теория мкости идеальной МДПструктуры.
2.1.2. Вольтфарадные методы исследования.
2.2. Модель вольтфарадных характеристик планарнонеоднородной МДПструктуры со сложным профилем легирования полупроводника для определения электрофизических параметров структуры
2.2.1. Моделирование вольтфарадных характеристик планарнонеоднородной МДПсгрукгуры
2.2.2. Моделирование вольтфарадных характеристик ионнолегированных
МДПструктур
2.3. Бесконтактный способ исследования зарядовых свойств структуры i методом вибрационного динамического конденсатора
2.4. Контроль планарной неоднородности дозы легирующей примеси
2.5. Комплексная методика электрофизического диагностирования.
2.6. Автоматизированная установка для контроля электрофизических
характеристик МДПструктур
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ГЛАВА 3. Физикотехнологическое моделирование планарнонеоднородных и ионнолегированных МОПтранзисгорных структур для оптимизации МОП технологии.
3.1. Принципы моделирования МОПтранзисторных структур
3.2. Модель планарнонеоднородного МОПтранзистора в области слабой инверсии
3.3. Физикотехнологические модели ионнолегированных МОПтранзисторов
3.3.1. Профили распределения легирующей примеси в подзатворной области.
3.3.2. Полуаналитическая модель МОПтранзистора с индуцированным каналом обогащнного типа.
3.3.3. Моделирование МОПтранзистора со встроенным каналом обедннного типа
3.4. Модель прканального МОП инвертора. Оптимизация процесса изготовления прканальных МОП ИС по статическим параметрам пары тестовых транзисторов
3.5. Расчт дозы легирования для выравнивания пороговых напряжений
комплементарной пары транзисторов интегрального КМОП инвертора
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 4. Электрофизические и радиационные методы исследования МДПэлементов интегральных микросхем
4.1. Спектроскопия поверхностных состояний в МДПтранзисторе.
4.2. Методика определения флуктуационного и поверхностных параметров планарнонеоднородного МОПтранзистора.
4.3. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДПтранзистора.
4.4. Анализ профиля распределения заряда в диэлектрике МДПтранзистора по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока.
4.5. Повышенная генерация поверхностных состояний в МДПэлементах ИС под воздействием ультрафиолетового и рентгеновского излучений
4.6. Автоматизированный комплекс для исследования МДПэлементов интегральных микросхем электрофизическими и радиационными
методами.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ГЛАВА 5. Перспективные структуры функциональной полупроводниковой
электроники с использованием неупорядоченных и анизотропных слоев
5.1. Функциональные свойства неупорядоченных полупроводниковых плнок и структур кремний несобственный неупорядоченный оксид с большой
площадью гетероперехода
5.1.1. Хемосорбционный эффект поля в поверхностнодопированных газовых сенсорах на основе неупорядоченных плнок ЭпО и КЮ
5.1.2. Варикапы и фотодиоды на основе структур ЭпОгб и с
большой площадью гетероперехода ,.,..,
5.2. Электронные процессы в гетероструктуре аЛЮзв при электро и фотохромизме.
5.3. Пористый кремний и его адсорбционные и структурнофазовые характеристики.
5.3.1. Методика адсорбционноемкостной порометрии
5.3.2. Адсорбционные и структурнофазовые характеристики.
5.4. Особенности кинетических явлений в анизотропных монополярных полупроводниках.
5.4.1. Квазихолловский и анизотропнорезистивный эффекты.
5.4.2. Вихревые токи в средах с анизотропной электропроводностью
5.5. Анализ распределения потенциалов электрического и холловского поля в анизотропных полупроводниках.
5.5.1. Моделирование двумерного распределения потенциала электрического поля в анизотропных пластинах полигональной формы
5.5.2. Анализ распределения потенциала холловского поля для определения компонентов тензора Холла
5.6. Анизотропия физических свойств монокристаллов дифосфида цинка и оценка перспектив его применения , .
5.6.1. Электрофизические свойства
5.6.2. Стимулированное излучение при электронном возбуждении
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА