Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов», автор — Галицын, Юрий Георгиевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 02.00.21. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2001 году. Объем работы: 340 с. : ил. Внутренний код товара: 01000322276. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гидролиз аква, фторидных и оксалатных комплексов металлов и синтез металл-кислородных нанослоев методом ионного наслаивания | Алтангэрэл Баянжаргал | 2007 |
| Синтез, структура и свойства тонкопленочных нанокомпозитов на основе сверхпроводника YBa2Cu3O7-δ | Бойцова, Ольга Владимировна | 2010 |
| Получение и исследование методами in situ дифрактометрии синхротронного излучения упорядоченных структур из наночастиц серебра при термическом разложении его карбоксилатов | Шарафутдинов, Марат Рашидович | 2009 |