Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гель-комплексонатный синтез ультрадисперсных порошков и керамики : На примере перовскитных функциональных материалов | Антипов, Александр Борисович | 2004 |
| Термическое поведение низкосимметричных клинопироксенов и пированадатов двухвалентных металлов | Андрианова, Людмила Владимировна | 2003 |
| Образование наноразмерных оксидов алюминия, титана и циркония при получении электрохимическим золь-гель-способом | Зима, Татьяна Мефодьевна | 2010 |