Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гидролиз аква, фторидных и оксалатных комплексов металлов и синтез металл-кислородных нанослоев методом ионного наслаивания | Алтангэрэл Баянжаргал | 2007 |
| Использование наночастиц CdS и PbS в качестве акцепторов в полимерных фотовольтаических материалах | Белов, Артем Владимирович | 2005 |
| Синтез металлоксидных структур на поверхности карбида кремния с применением хлорида титана, оксохлоридов хрома и ванадия | Анисимов, Константин Сергеевич | 2013 |