Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов», автор — Галицын, Юрий Георгиевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 02.00.21. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2001 году. Объем работы: 340 с. : ил. Внутренний код товара: 01000322276. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Тонкие пленки как основа химических и биологических сенсоров | Дульцев, Федор Николаевич | 2007 |
| Влияние микроструктуры на процессы массопереноса в мембранах анодного оксида алюминия | Петухов, Дмитрий Игоревич | 2013 |
| Структура и фазовые превращения в квазикристаллообразующих и β-сплавах системы Al-Cu-Fe | Шалаева, Елизавета Викторовна | 2009 |