Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов», автор — Галицын, Юрий Георгиевич, относится к типу: докторская диссертация по специальности 02.00.21. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2001 году. Объем работы: 340 с. : ил. Внутренний код товара: 01000322276. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Процессы фазообразования, структура, магнитные и каталитические свойства сложных ферритов гадолиния и стронция Gd2-xSr1+xFe2O7-a | Числова, Ирина Васильевна | 2015 |
| Лазерно-индуцированный синтез металлических и гибридных металл/углеродных наноматериалов | Маньшина, Алина Анвяровна | 2016 |
| Синтез эпитаксиальных слоев в системе GaN/AlGaN методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии и формирование гетероструктур на их основе | Фомин, Александр Владимирович | 2005 |