Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
- Автор:
Галицын, Юрий Георгиевич
- Шифр специальности:
02.00.21
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
340 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Устойчивость твердых растворов на основе соединений AIIIBV | Шумская, Ольга Николаевна | 2009 |
| Получение текстурированных пленок кремния на металлических подложках с оксидными буферными слоями методом химического осаждения из газовой фазы | Мойзых, Михаил Евгеньевич | 2013 |
| Матричный синтез нанодисперсного диоксида титана из тетрабутоксититана | Колмогорцев, Алексей Михайлович | 2010 |