Химико-технологические основы низкотемпературного формирования межфазных границ раздела диэлектрик-проводник

• Автор: Алехин, Анатолий Павлович
• Шифр специальности: 02.00.18
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 72 с. : ил.; 21х14 см

Работа выполнена в Государственном научноисследовательском институте физических проблем им.Ф.В.Лукина.

Официальные оппоненты

члснкоррсспоидснт РАЛ, доктор химических наук, профессор Грибов Б.Г. доктор технических наук, профессор Ладыгин Е.А. РОССИЙСКАЯ

ГОСУДАРСТВЕННАЯ

доктор химических наук, профессор Малыгин Л А

Ведущая организация

Московский государственный университет химический факультет

Зашита состоится г. в Ж час.

на заседании ДисссрташМнного совета Д 2 в Гос.НИИ физических проблем им.Ф.В.Лукииа по адресу , Москва, Зеленоград, Гос.НИИФП им.Ф.В.Лухина.
диссертацией в виде научною доклада можно ознакомиться в библиотеке Гос.НИИФП им.Ф.В.Лухина

Диссертация в виде научного доклада разослана ЛЛ 0Р7. г.

Общая характеристика работы
Актуальность


Работы в этой области носили чисто эмпирический характер и осуществлялись методом ироб и ошибок. Существующий уровень теоретических и экспериментальных исследований находится на такой стадии, когда их дагьнсйшсс развитие, особенно при разработке низкотемпературных процессов синтеза тонкопленочных структур, широкое внедрение в практику, невозможно без химических представлений О построении межфазных границ раздела, комплекса технологических исследований в этой области. Работа выполнялась в рамках Постановления ЦК и СМ СССР 00 от г. Научнотехнических программ Сикхротронное излучение к лучевые применения, Федеральной целевой программы Здоровье населения России, при поддержке РФФИ, проект 9. ИС н медицинских биосовыестимых материалов. Развиты и экспериментально подтверждены остовная модель и правила построения межфазных раннц раздела тонкопленочных структур на основе
кристаллических матриц в виде раашых пояуарово. Обнаружена корреляция между хикосхюлогкчсскими факторами ллехтрохямкчесиа процессов тип о кцеитрлция реагентов. Определены ос полные юшетипек факторы з. Показаны предельные нозмоисти жидкостных процессов при создания границ раздела с контролируем свойствами. На основания принципов крисгалдогфичсского соответствия обоснован выбор функционального сдоя для получия гетерогенной границы раздела сложный полупроводникдйл. В качестве основного процесса для реал коти таких структур выбран исход молекулярного наслаивания МГ. Установлены закономерности МЕнлснок яО, Т м, С1. УФ излучением. Показана роль фотонного воздействия для сжения температуры процесса, контолируемостя кинетики и достяжсимаксимальиых констант роста слоев, а также снижения уровня дефектности шврмирусмых границах раздай. С использованием метода МН азрабогзнз мето,лика устранения деградациоиных фязакохймвчеекях яндгй на границах раздела полученных пленок с полупроводником АВб, закдюошаяск к создают промежуточных буферносоирягающих слоев состава АЧтолщиной 2Ю им. Впервые с пегнмгьзоваяыем рсакцигопденсапленного тина реализован замкнутый цикл формирования структурозккмй полулроподпмкднэяскгрик удаление приповерхностного сдоя поддай, содержащего неконтролируемые Примеси. МП функционального слоя. Такой цикл лцссгвяен при низких температурах не выше ЗК за счет использования фзнного воздействия, 1ц зш диагностика поверхности позволила получетъ хачвеиво пошс сведения о поверхностных процессах, происходящих при очисс полупроводников и синтезе па них различных ылеяок. Осаоопые принципы остршя межфазяых I ранец раздела пояуироводишсдизлеворик успешно нменецы яри разработке и исследовании методов создания биосовместимых Есрхностсй полимерных материалов. При формировании границ раздела я некристаллических подложках также использованы остовкая модель, шила геометрического соответствия и установлена зависимость между сосшлем поверхности остова н сс меяикотсхличсским характеристиками. С использованием совремсик средств диагностики таких, как сканирующая атомносиловая микрюпня и метод флюоресценции полного внутреннего отражения, презжены оригинальные решения по низкотемпературному модифицирован полимеров медицинского назначения путем осуществления самоорханиощсгося прецизионного на зтомиомотекулярном уровне синтеза углервих слоен. Полученные научные резу. ЛзВ п АдВ и полимеров медипяноо назначения с заданными свойствами границ раздела. Разрвботаниые замкнутые щгзюмпературньхе, в том числе фотогаюиндуиироваяные. ИС с числом элементов 8 на основе 1пЯЬ, 1оЛя и СбхН. ЮМО В г . Сформулированы требования, использованные при разработке н изготовлении оборудования кластерю типа, для создания высоховзкуумных замкнутых тахаологцческях михроцтов низкотемпературного формирования тонкопленочных структур. Их прагмеская ценность показана на примере низкотемпературного 33К рмирования структур полунронодвякдюлектрик. Экспериментальные результаты юты были реализованы в производстве фотоприемных приборов, мзтркчнш строчных ИС на бинарных и тройных полупроводниках с годовым эконочесяим аффектом тысяч руб.