Синтез и исследование сополимеров на основе полигетероариленов и винильных мономеров

• Автор: Сапожников, Дмитрий Александрович
• Шифр специальности: 02.00.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 201 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

I. Термическая полимеризация винильных мономеров, содержащих полигетероарил ен.

1.1. Калориметрическое исследование радикальной полимеризации метилметакрилата и стирола в присутствии растворенного полигетероарилена

1.2. Полимеризация метилметакрилата и стирола в присутствии различных полиимидов

1.3. Полимеризация Ывинилпирролидона, содержащего полигетероарилен

1.4. Полимеры, получаемые сополимеризацией метилметакрилата и фенилмалеимида в присутсвии полигетероарилена.
1.5. Сополимеризация метилметакрилата с дифункциональными соединениями в присутствии полиимида кинетика процесса и свойства образующихся при этом сетчатых полимеров.

И. Фотополимеризация ненасыщенных мономеров, содержащих полигетероари

II. 1. Фотополимеризация метилметакрилата в присутствии полигетероариле

нов и соединения, моделирующего полиимид
И. 1.1. Калориметрическое исследование процесса фотополимеризации метилметакрилата в присутствии полиимида, полиарилата и диимида И. 1.2. Исследование кинетики фотополимеризации метилметакрилата
методом ИКспектроскопии в реальном времени
И. 1.3. Исследование свойств полимерных систем на основе полиметил
метакрилата
.2. Фотополимеризация этилакрилата в присутствии полиимидов различной молекулярной массы и соединения, моделирующего полиимид
.2.1. Калориметрическое исследование фотополимеризации этилакри
лата в присутствии полиимидов и диимида
И.2.2. Исследование свойств полимерных систем на основе полиэтилакрилата.
Н.З. Фотополимеризация диметакрилатов, содержащих полиимид, полиарилат, диимид и исследование свойств полученных полимерных систем
II.4. Фотополимеризация 4гидроксибутилвинилового эфира в присутствии полиимидов различной молекулярной массы и диимида.
.4.1. Калориметрическое исследование фотополимеризации 4гидроксибутилвинилового эфира в присутствии полиимидов и диимида
Н.4.2. Исследование кинетики фотополимеризации 4гидроксибутилвинилового эфира методом ИКспектроскопии в реальном времени.
III. Изучение механизма образования сополимеров на основе винильных мономеров и полигетероариленов
III. 1. Калориметрическое исследование радикальной полимеризации метил
метакрилата и стирола в присутствии модельных соединений.
Ш.2. Исследование полимеризации стирола и этилакрилата в присутствии модельных соединений методом электронного парамагнитного резонанса.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.
ЛИТЕРАТУРА
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ
АМА аллилметакрилат
ВМС высокомолекулярное соединение
ВФФК бислвинилфенилфосфоновую кислоту
КГВП Ывинилпирролидон
ГБВЭ 4гидроксибутилвиниловый эфир
ГПХ гельпроникающая хроматография
ДАК динитрил азобисизомасляной кислоты
ДВБ дивинилбензол
ДИ диимид
ДМГХ диметакрилат гидрохинона
ДМОФО диметакрилат 4,4диоксидифенилоксида
ДМОФП диметакрилат 2,2бислоксифенилпропана
ДМППГ диметакрилат полипропиленгликоля
ДМФА Ы,диметилформамид
ДМФФ диметакрилат 9,9бисиоксифенилфлуорена
ДМЭГ диметакрилат этиленгликоля
ДСФК дифференциальная сканирующая фотокалориметрия
ДЭ сложный диэфир
Еа эффективная энергия активации полимеризации
к константа скорости реакции
М мономер
ММ молекулярная масса
ММА метилметакрилат
ММР молекулярномассовое распределение
МНП 2метил2нитрозопропан
ЫМП Ыметилпирролидон
Мп МУ среднечисловая и средневесовая молекулярная масса НД нитрозодурол
ПА полиамид
ПАК полиамидокислота
ПАр полиарилат
ПБ перекись бензоила
ПВП полиКвинилпирролидон
ПГА полигетероарилен
ПИ полиимид
ПММА полиметилметакрилат
ПС полистирол
ПЭА полиэтилакрилат
ПЭТФ полиэтилентерефталат
СА спинаддукт
Ст стирол
ТГА термогравиметрический анализ
Тс температура стеклования
Т температура ой потери массы
ФБ фенилбензоат
ФИ фотоинициатор
ЫФМИ Ыфенилмалеимид
ХЛФ хлороформ
цгн циклогексанон
цпк циклогексилпероксидикарбонат
ЭА этилакрилат
ЭПР электронный парамагнитный резонанс.
ВВЕДЕНИЕ


С целью создания материалов, обладающих жидкокристаллическими свойствами, предварительным облучением уизлучением Со на воздухе поликарбоната на основе бисфенола А ПК 1, а также ПК на основе бисаллилдикарбоната диэтиленгликоля ПК 2 из раствора в СНСЬ или ССЦ привит полиЫдиметиламиноэтилметакрилат . При этом если у ПК 1 существенно ухудшаются прозрачность и долговечность, эксплуатационные характеристики модифицированного ПК 2 практически не меняются. С целью создания протонпроводящих мембран для топливных элементов радиационной прививкой полистирола успешно модифицирована мембрана на основе промышленного полиэфирсульфона, которая затем была подвергнута сульфированию . Прививкой метилакрилата и метилметакрилата под влиянием уизлучения осуществлена модификация пленки ПА6,6 . Определено влияние на степень прививки таких факторов, как суммарная доза облучения, концентрация мономера, тип растворителя, количество добавляемой воды. Установлено, что модифицированная полиамидная пленка обладает лучшей набухаемостыо в различных органических растворителях, что делает ее более пригодной для использования в качестве мембраны. В результате радиационной прививки Сб , успешно модифицированы полимерные микрочастицы из ПА6. Установлено, что степень привнвки возрастает при использовании смесей мономеров . Прививка 4винилпиридина и бинарной смеси 4винилпиридинакрилонитрил на волокна ПА6 приводит к улучшению окрашиваемости волокон, но снижению их термических характеристик . Ещ в начале х годов Кабанов с сотр. ПИ, в данном случае полиимидной плнки . Варьированием мощности дозы и состава раствора, содержащего АК, авторы пытались увеличить количество прививаемой полиакриловой кислоты. Однако содержание привитой полиакриловой кислоты в модифицированной пленке не превышало 3,5 , что авторы связывали с особой структурой жесткоцепного ПИ и стерическими факторами, препятствующими более глубокой прививке. Позднее удалось привить, с помощью одновременного облучения уизлучением Со, до полистирола на полиимидную пленку марки Картогда как при предварительном облучении пленки с последующей прививкой степень прививки полистирола составляла 3 4 , что согласуется с результатами работы, описанной выше . Методом ЭПР установлено, что облучение не способствует образованию перекисных радикалов, что и приводит, по мнению авторов, к такой незначительной прививке по методу предварительного облучения пленки. Авторы, ссылаясь на работы Пасальского с сотр. Марлетта с сотр. Именно радикалы, образующиеся в результате превращений имидного кольца схемы 3 и 4, и инициируют прививку ПС. Поверхностная прививка осуществлена и методом облучения электронами высокой энергии, получаемыми, например, на генераторе ВандеГрафа или другом линейном ускорителе. Так, при радикальной привитой сополимеризации акрил амида на пленки ПА6 , поли капролактона и поли1,5диоксепан2она , 2акриламидо2метилпропансульфоновой кислоты и 2диметиламиноэтилметакрилат на полиамидную мембрану неуказанного строения , а также акриловой кислоты на промышленные полиэфирные волокна полимер предварительно облучати электронным пучком, формируя на модифицируемой поверхности пероксирадикалы инициаторы последующей свободно радикальной полимеризации. Одновременным облучением волокон и ранул ПА6 и некоторых других ПА и мономера или его раствора привиты акриловая и метакриловая кислоты, а также акриламид , . Облучением электронами высокой энергии удалось привить полиМизопропилакриламидсополиэтиленгликольметакрилат на мембрану ПЭТФ . Модификация поверхности приводит к увеличению гидрофильности полиэфирных и полиамидных материалов и повышению удельной электропроводности полиамидных волокон . В последние годы плазменная методика полимеризации вызывает все больший интерес. Основные процессы в плазме вынужденное электронами возбуждение, ионизация и диссоциация. Полиимиды, характеризующиеся превосходными механическими, термическими и диэлектрическими свойствами, широко используются в микроэлектронике ,. Медь является одним наиболее важным из металлов, применяемых в микроэлектронике . С целью улучшения адгезии между пленкой ПИ и медыо разработан ряд методов модификации полиимидной плнки. Плазма аргона
Плнка ПИ
2. Постоянная нагрузка
.