Исследование фазовых равновесий и термодинамических свойств систем Cu-Tl-S и CuTlX-AgTlX(X-S,Se,Te)

• Автор: Ли Тай Ун, 0
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 139 c. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА ПЕРВАЯ

ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ

МЕДИ,СЕРЕБРА И ТАЛЛИЯ

. . .

1.Двойные системы Си 6 к Си ТЕ

2 .Тройные системы АССи, ТЕ ХХ2И СаАХ .

3.Тройные системы АдТСХ и СиТСХ .

4.Системы образованные между соединениями

АдССи ТЕX .
ГЛАВА ВТОРАЯ
СИНТЕЗ ИСХОДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ И ПРИГОТОВЛЕНИЕ СПЛАВОВ. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ
I I i I . . I . . 1 . I I I . I I I I 4 1
РАВНОВЕСИЙ.
i . . . ,
1.Синтез исходных соединений и приготовление
сплавов.
2.Экспериментальные методы исследования фазовых
равновесий
ГЛАВА ТРЕТЬЯ
ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ И ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
4 I I I 4 4 . 4 I 4 4 I I 4 I I I I I i I 4 I .
СИСТЕМЫ
1.Политермические разрезы ,
2 .Система .
З.Система 2 .
4.Система 2
5.Поверхность ликвидуса и изотермическое сечение
при 0К системы
6.Термодинамические свойства сплавов системы Си
стр.
ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ.
ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В СИСТЕМАХ СиТАдТРЪ
1.Система .. ЬуТЕ Бе
2.Система СиТРС .
З.Взаимная система СиТРБ СиТРЬе
Ад ТРв .
4.Система СиТББеАдТГе.
5.Система СиТвБ СиТРВе АдТТе .
6.Электрические свойства некоторых сплавов в
области твердых растворов систем СцТБ АдТ8е
СцТеАдШ Си Те 5 Си Т е .
ВЫВОДЫ
I I I . I I I I I I I 4 I
ЛИТЕРАТУРА


На 1У всесоюзной конференции Тройные полупроводники и их применение, г. Кишинев,. На У1 республиканской научной конференции аспирантов ВУЗов Азербайджана, г. Баку, . На научнопрактической конференции Азгосуниверситета на темуУниверситетская наукапроизводству Баку,. Объем работы. Диссертационная работа изложена на 7 страницах машинописного текста,состоит из введения,литературного обзора, трех глав экспериментальных результатов и их обсуждений,выводов. Диссертация содержит рисунков, таблиц,списка использованной литературы 2 наименований. Халькогеняды меди и серебра,благодаря своим интересным фотоэлектрическим и термоэлектрическим свойствам все более широко применяются в современной электронной технике. В последнее время усилился интерес также к сложным полупроводниковым системам на основе халькогенидов меди,серебра и таллия, в частности, к системам Си Ад ТЕ X . В ряде монографий и справочников Г15 7 приводятся диаграммы состояния систем медьхалькоген, сереброхалькоген и таллийхальген,построенные на основании анализа многочисленных работ, а также физические и физикохимические свойства промезгу точных соединений, образующихся в этих двойных системах. Изучение характера взаимодействия в отдельных разрезах этих систем проводилось в работах 63 . СиАд X Ад Т х Си ТЕ X . ЦСи ТЕХ , а также двойнымСиПСиТЕ, являющимся граничными в тройной системе Си ТЯ . I. Двойные системы СиТв 5 и Си . Система Си 8 . Сведения о системе Си обобщены и проанализированы в 1,3, е которых приведены построенные на основании анализа работ разных авторов диаграммы состояния Си 8 на которых отражены температуры полиморфных превращений обнаруженных
соединений. В работе 3 приводится диаграмма состояния частной системы Си Сигв В более поздних работах были уточнены отдельные участки диаграммы в интервале температур 8 К. В на основании имеющихся литературных данных построена уточненная диаграмма вблизи СиЭ . В монографии С представлен последний вариант диаграммы состояния системы медьсера, построенный авторами по результатам работ 3,4,7 рис. Медь с серой образуют рис. К устойчивыми являются следующие фазы Си. Сив имеет три модификации орторомбическую о, устойчивую до 6,5К,гексагональную р ,устойчивую в интервале температур 6,58К и кубическую У,существующую при температурах выше 8К. Фаза,имеющая состав Си. З . К.
При более высокой температуре происходит распад на р Сияв и высокотемпературный твердый раствор . При температуре 0К в интервале концентраций ат. С 7 . Фаза5УСТ0Йчива Д температуры 0К . При более высоких температурах происходит диссоциация Сив на Сиг и Б Однако в некоторых работах Г высказывается предположение,что соединение Сив начинает разлагаться уже при температурах около 3К. В системе медьсера имеется две области несмешиваемости в жидком состоянии со стороны меди и со стороны серы. Граница расслаивания со стороны меди находится в пределах 1,,9 при монотвктической температуре К. Рис. I Диаграмма состояния системы Си
ти расслаивания точно не установлена. При температуре К Си2В и образуют эвтектику,содержащую 1, ат. Растворимость серы в твердой меди очень мала и составляет 0, и 0, ат. ПРИ 8 и К соответственно А . Система 5 . Система ТЕ в неоднократно исследована разными авторами 14,2 , так как результаты авторов по числу и характеру образования промежуточных соединений в этой системе не согласовались друг с другом. ТеЗ На диаграмме состояния, построенной авторами показано,что в этой системе образуется четыре соединения Те2 , ТеВ3 , 5 и Те2 8 работе исследована частная система 75 и подтверждено образование 7А5з 7 , В ,7 методом РФА и измерением э. Те2В5 Авторы 7 методами ДТА и РФА построили новый вариант диаграммы состояния ТЕв рис. К, Те8 3К , 727К и соединение ТЕ2В3 котоРое устойчиво лишь ниже 3К, при которой разлагается по твердофазной реакции. На диаграмме состояния системы 3 имеются две области несмешиваемости в интервалах ,3 и 0 ат. ТеЗ кристаллизуется в гексагональной ромбической слоистой
структуре с периодами решетки а, С , А.